[發明專利]半導體結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201611058613.6
• 申請日: 2016-11-24
• 公開（公告）號: CN106972002B
• 公開（公告）日: 2019-07-05
• 發明（設計）人: 張哲誠;林志翰;曾鴻輝
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L21/768
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

一種半導體結構，包含襯底、第一柵極結構、第一間隔件、源極漏極結構、導體和接觸蝕刻停止層。第一柵極結構存在于襯底上。第一間隔件存在于第一柵極結構的至少一個側壁上，其中第一間隔件有頂部和底部，底部位于頂部和襯底之間。源極漏極結構鄰近第一間隔件的底部。導體電連接至源極漏極結構。保護層至少存在于導體和第一間隔件的頂部之間。接觸蝕刻停止層至少部分存在于導體和第一間隔件的頂部之間，而在保護層和第一間隔件的頂部之間不存在。本發明實施例涉及半導體結構及其制造方法。

技術領域

本發明實施例涉及半導體結構及其制造方法。

背景技術

半導體器件被用于各種電子應用中，諸如個人電腦、手機、數碼相機和其他電子設備等。半導體工業通過不斷減小最小器件尺寸，不斷提高各種電子元件(例如，晶體管，二極管，電阻器，電容器等)的集成密度，其允許更多的組件被集成到給定的區域。

集成電路中的字“互連”是指連接各種電子組件的導電線。互連導電線通過絕緣層與襯底分離，除了在接觸區上之外。隨著部件密度的增加，導電線的寬度和互連結構的導電線之間的間隔也按比例縮小。

發明內容

根據本發明的一些實施例，提供了一種半導體結構，包括：襯底；至少一個第一柵極結構，存在于所述襯底上；至少一個第一間隔件，存在于所述第一柵極結構的至少一個側壁上，其中，所述第一間隔件具有頂部和底部，所述底部位于所述頂部和所述襯底之間；至少一個源極漏極結構，鄰近所述第一間隔件的底部；至少一個導體，電連接至所述源極漏極結構；保護層，至少存在于所述導體和所述第一間隔件的頂部之間；以及接觸蝕刻停止層，至少部分地存在于所述導體和所述第一間隔件的底部之間，而在所述保護層和所述第一間隔件的頂部之間不存在。

根據本發明的另一些實施例，還提供了一種半導體結構，包括：襯底；至少一個柵極結構，存在于所述襯底上；至少一個間隔件，存在于所述柵極結構的至少一個側壁上；至少一個源極漏極結構，存在于所述襯底上；以及至少一個導體，電連接至所述源極漏極結構，其中，所述間隔件具有面向所述導體的頂部拐角表面，并且所述頂部拐角表面的曲率半徑在1到200的范圍內。

根據本發明的又一些實施例，還提供了一種制造半導體結構的方法，所述方法包括：在至少一個源極漏極結構上形成介電層，所述源極漏極結構鄰近至少一個柵極結構的至少一個間隔件；去除所述介電層的上部，從而所述介電層和所述柵極結構的間隔件形成凹槽；圓化鄰近所述凹槽的所述間隔件的頂部，以具有圓形頂部拐角；至少在所述圓形頂部拐角上形成保護層；以及形成至少穿過所述介電層以電連接至所述源極漏極結構的導電通孔。

附圖說明

結合附圖閱讀以下詳細說明，可更好地理解本發明的各方面。應注意到，根據本行業中的標準慣例，各種功能件未按比例繪制。實際上，為論述清楚，各功能件的尺寸可任意增加或減少。

圖1至圖10是根據本發明的一些實施例的在不同階段制造半導體結構的方法的截面圖。

具體實施方式

以下公開提供許多不同的實施例或實例，為提供的主題實現不同的特征。下面描述了組件和布置的具體實例，以簡化本發明。當然，這些僅僅是實例，并不旨在限制本發明。例如，在隨后的說明中，形成于第二部件上或者上方的第一部件可包含其中所述第一和第二部件形成直接接觸的實施例，也同樣可以包含其中在第一和第二部件之間形成額外的部件的實施例，這樣第一和第二部件可以不直接接觸。此外，本發明可重復多個實例中的標號和/或字母。該重復是為了簡明和清楚的目的，而且其本身不指示所討論的各個實施例和/或配置之間的關系。

此外，為了便于描述，本文使用例如“低于”、“下面”、“下方”、“上面”、“上部”等的空間相對術語，來描述如圖中所示的一個元件或部件征與另一元件或部件的關系。空間相對術語旨在包含除附圖所示的方向之外使用或操作器件時的不同方向。該裝置可以以其他方式定向(旋轉90度或者有其他取向)，那么本文中使用的空間相對位置描述符可以要進行相對應地解釋。