[發明專利]半導體結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201611058613.6
• 申請日: 2016-11-24
• 公開（公告）號: CN106972002B
• 公開（公告）日: 2019-07-05
• 發明（設計）人: 張哲誠;林志翰;曾鴻輝
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L21/768
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導體結構，包括：

襯底；

至少一個第一柵極結構，存在于所述襯底上；

至少一個第一間隔件，存在于所述第一柵極結構的至少一個側壁上，其中，所述第一間隔件具有第一部分、第二部分和第三部分，其中：

所述第二部分位于所述第一部分和所述第三部分之間，和

所述第三部分位于所述第二部分和所述襯底之間；

至少一個源極漏極結構，橫向鄰近所述第一間隔件的第三部分；

至少一個導體，電連接至所述源極漏極結構；

保護層，覆蓋所述第一間隔件的頂面并且至少存在于所述導體和所述第一間隔件的第一部分之間；以及

接觸蝕刻停止層，至少部分地存在于所述導體和所述第一間隔件的第二部分之間，而在所述保護層和所述第一間隔件的第一部分之間不存在。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述第一間隔件的頂部具有面向所述保護層的拐角表面，并且所述拐角表面的曲率半徑在1到200的范圍內。

3.根據權利要求1所述的半導體結構，進一步包括：

至少一個第二柵極結構，存在于所述襯底上；以及

至少一個第二間隔件，存在于所述第二柵極結構的至少一個側壁上，其中，所述源極漏極結構存在于所述第一間隔件和所述第二間隔件之間。

4.根據權利要求3所述的半導體結構，其中，所述第二間隔件有頂部和底部，所述底部位于所述第二間隔件的頂部和所述襯底之間，并且所述保護層進一步至少存在于所述導體和所述第二間隔件的頂部之間。

5.根據權利要求4所述的半導體結構，其中，所述接觸蝕刻停止層進一步至少存在于所述導體和所述第二間隔件的底部之間，而在所述保護層和所述第二間隔件的頂部之間不存在。

6.根據權利要求1所述的半導體結構，進一步包括：

第一介電層，存在于所述導體和所述第一間隔件之間以及所述保護層和所述源極漏極結構之間。

7.根據權利要求6所述的半導體結構，進一步包括：

第二介電層，至少存在于所述保護層上，所述第二介電層中具有至少一個開口，其中，所述導體的至少一部分存在于所述開口中。

8.根據權利要求7所述的半導體結構，其中，所述第一介電層和所述第二介電層由相同的材料制成。

9.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述保護層和所述接觸蝕刻停止層由不同的材料制成。

10.一種半導體結構，包括：

襯底；

至少一個柵極結構，存在于所述襯底上；

至少一個間隔件，存在于所述柵極結構的至少一個側壁上，所述間隔件具有第一部分、第二部分和第三部分，其中：

所述第二部分位于所述第一部分和所述第三部分之間，和

所述第三部分位于所述第二部分和所述襯底之間；

至少一個源極漏極結構，存在于所述襯底上，橫向鄰近所述間隔件的第三部分；以及

至少一個導體，電連接至所述源極漏極結構，其中，所述間隔件具有面向所述導體的頂部拐角表面，并且所述頂部拐角表面的曲率半徑在1到200的范圍內；

保護層，覆蓋所述間隔件的頂面并且至少存在于所述導體和所述間隔件的第一部分之間；以及

接觸蝕刻停止層，至少部分地存在于所述導體和所述間隔件的第二部分之間，而在所述保護層和所述間隔件的第一部分之間不存在。

11.根據權利要求10所述的半導體結構，其中，所述保護層和所述接觸蝕刻停止層由不同的材料制成。