[發明專利]晶片封裝體及其制造方法

在審

• 申請號: 201611053813.2
• 申請日: 2016-11-22
• 公開（公告）號: CN107039365A
• 公開（公告）日: 2017-08-11
• 發明（設計）人: 劉建宏
• 申請（專利權）人: 精材科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/488;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙)11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種晶片封裝體，其特征在于，包括：

裝置基底，其包括感測裝置及露出于該裝置基底的表面的多個導電墊；

硬涂層，覆蓋該裝置基底的該表面，且具有分別露出該多個導電墊的多個開口；以及

多個導電結構，對應設置于該多個開口內，且電性連接至該多個導電墊，其中該硬涂層及該多個導電結構具有平坦且彼此切齊的表面。

2.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該感測裝置包括指紋辨識元件。

3.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該硬涂層包括高硬度材料，且該硬涂層的硬度值不小于6。

4.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該硬涂層包括高介電常數材料，且該硬涂層的介電常數為5以上。

5.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該硬涂層包括二甲基乙酰胺。

6.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該多個導電結構包括金屬凸塊或金屬柱體。

7.根據權利要求6所述的晶片封裝體，其特征在于，該多個導電結構包括金、銀、錫、銅或其合金。

8.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括：

封裝基底，裝設于該裝置基底下方；

封裝層，設置于該封裝基底上，以密封該硬涂層及該裝置基底，其中該硬涂層中對應于該感測裝置的部分露出于該封裝層；以及

多個接線，埋設于該封裝層內，且電性連接于該多個導電結構與該封裝基底之間。

9.一種晶片封裝體的制造方法，其特征在于，包括：

提供裝置基底，其包括感測裝置及露出于該裝置基底的表面的多個導電墊；

于每一該多個導電墊上對應形成導電結構；

于該裝置基底的該表面上覆蓋一硬涂層，且該硬涂層完全覆蓋位于每一該多個導電墊上的該導電結構；以及

對該硬涂層進行薄化，以露出位于每一該多個導電墊上的該導電結構，且使該硬涂層及位于每一該多個導電墊上的該導電結構具有平坦且彼此切齊的表面。

10.根據權利要求9所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該感測裝置包括指紋辨識元件。

11.根據權利要求9所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該硬涂層包括高硬度材料，且該硬涂層的硬度值不小于6。

12.根據權利要求9所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該硬涂層包括高介電常數材料，且該硬涂層的介電常數為5以上。

13.根據權利要求9所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該硬涂層包括二甲基乙酰胺。

14.根據權利要求9所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該多個導電結構包括金屬凸塊或金屬柱體。

15.根據權利要求14所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該多個導電結構包括金、銀、錫、銅或其合金。

16.根據權利要求9所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，利用植球制程形成該多個導電結構。

17.根據權利要求9所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，利用電鍍制程形成該多個導電結構。

18.根據權利要求9所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，對該硬涂層進行薄化的步驟包括實施化學機械研磨。

19.根據權利要求9所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包括：

將該裝置基底裝設于封裝基底上方；

形成多個接線，使該多個接線電性連接于該多個導電結構與該封裝基底之間；以及

形成封裝層于該封裝基底上，以密封該硬涂層、該裝置基底及該多個接線，其中該硬涂層中對應于該感測裝置的部分露出于該封裝層。