[發明專利]高通量快速篩選陽性雜交瘤細胞的方法及系統

有效

• 申請號: 201611053051.6
• 申請日: 2016-11-25
• 公開（公告）號: CN108107205B
• 公開（公告）日: 2023-10-27
• 發明（設計）人: 索廣力;喬勇
• 申請（專利權）人: 南京凌芯生物科技有限公司
• 主分類號: C12M3/00
• 分類號: C12M3/00
• 代理公司: 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32256
• 代理人: 王鋒

本發明公開了一種高通量快速篩選陽性雜交瘤細胞的方法，其包括：提供三維細胞培養芯片，其包括選定基底以及形成于選定基底表面的圖紋結構，所述圖紋結構包括由若干圖案形成的陣列，所述圖案由至少能夠促使單細胞附著的修飾劑組成；在所述芯片表面施加細胞懸浮液，再進行細胞培養，之后去除多余細胞，獲得單細胞陣列；將基質膠施加到所述芯片表面，并將所述圖紋結構完全覆蓋，其后孵育至所述基質膠充分固化；以細胞培養完全培養基覆蓋所述固化的基質膠，并持續培養，之后甄選陽性雜交瘤細胞進行后續處理。本發明還公開了一種相應的系統。本發明的方法操作簡單，培養周期短，無需飼養細胞，且能大幅提高雜交瘤篩選通量，減小篩選結果的假陽性率。

技術領域

本發明涉及一種生物芯片，特別涉及一種能夠高通量快速篩選分泌單克隆抗體雜交瘤細胞的方法及系統。

背景技術

自從科學家Kohler和Milstein于1975年創建單克隆抗體(McAb)技術以來，該技術不斷發展完善，應用也日益廣泛。能分離穩定高效分泌抗原特異性抗體的融合雜交瘤細胞是最終是否能純化得到有效單克隆抗體的關鍵步驟。

目前，雜交瘤細胞的篩選和克隆化方法有有限稀釋法、流式細胞術篩選法、半固體培養法、微流控法以及微井法等。但這些方法各有缺陷。例如，有限稀釋法的假陽性率高、耗時長、工作量大、操作繁瑣且成本高；流式細胞術篩選法所需設備昂貴，成本較高，材料來源質量難以控制；半固體培養法中的雜交瘤細胞分布不均，降低了細胞篩選通量，細胞生長受限，克隆挑選困難及不易檢測；微流控法的細胞污染可能性大，通量低；而微井法的成本高，過程中僅僅依靠重力作用，較難控制。

發明內容

本發明的主要目的在于提供一種高通量快速篩選陽性雜交瘤細胞的方法及系統，以克服現有技術中的不足。

為實現前述發明目的，本發明采用的技術方案包括：

本發明實施例提供了一種高通量快速篩選陽性雜交瘤細胞的方法，其包括：

提供三維細胞培養芯片，所述芯片包括選定基底以及形成于所述選定基底表面的圖紋結構，所述圖紋結構包括由復數個圖案形成的陣列，所述圖案由至少能夠促使單細胞附著的修飾劑形成；

在所述三維細胞培養芯片表面施加細胞懸浮液，再置于細胞培養環境中進行細胞培養以使所述的各圖案捕獲單細胞，之后去除多余的細胞，獲得單細胞陣列；

將基質膠施加到所述三維細胞培養芯片的表面，并至少將所述選定基底表面的圖紋結構完全覆蓋，其后置入細胞培養環境中孵育至所述基質膠充分固化；

以細胞培養完全培養基覆蓋所述固化的基質膠，并在細胞培養環境中持續培養，之后甄別和挑取陽性雜交瘤細胞并進行后續處理。

進一步的，所述基質膠還包含能與所述陽性雜交瘤細胞分泌的抗體特異性結合的抗原。

優選的，所述抗原上還修飾有用于指示有無所述陽性雜交瘤細胞分泌的抗體與所述抗原特異性結合的標記性物質。

進一步的，所述選定基底表面上除所述圖紋結構所在區域之外的其它區域具有排斥細胞的特性。

進一步的，所述的后續處理包括：對挑取出的陽性雜交瘤細胞并進行單克隆培養或抗體輕重鏈基因擴增。

本發明實施例還提供了一種高通量快速篩選陽性雜交瘤細胞的系統，其包括：

三維細胞培養芯片，包括選定基底以及形成所述選定基底表面的圖紋結構，所述圖紋結構包括由復數個圖案形成的陣列，所述圖案由至少能夠促使單細胞附著的修飾劑形成；

基質膠，至少能夠將所述選定基底表面的圖紋結構完全覆蓋，并能在細胞培養環境中固化；

以及，細胞培養完全培養基，至少能夠完全覆蓋固化的基質膠。