[發明專利]高通量快速篩選陽性雜交瘤細胞的方法及系統

有效

• 申請號: 201611053051.6
• 申請日: 2016-11-25
• 公開（公告）號: CN108107205B
• 公開（公告）日: 2023-10-27
• 發明（設計）人: 索廣力;喬勇
• 申請（專利權）人: 南京凌芯生物科技有限公司
• 主分類號: C12M3/00
• 分類號: C12M3/00
• 代理公司: 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32256
• 代理人: 王鋒

1.一種高通量快速篩選陽性雜交瘤細胞的方法，其特征在于包括：

提供三維細胞培養芯片，所述芯片包括選定基底以及形成于所述選定基底表面的圖紋結構，所述圖紋結構包括由復數個圖案形成的陣列，所述圖案由至少能夠促使單細胞附著的修飾劑形成；

在所述三維細胞培養芯片表面施加細胞懸浮液，再置于細胞培養環境中進行細胞培養以使所述的各圖案捕獲單細胞，之后去除多余的細胞，獲得單細胞陣列；

將基質膠施加到所述三維細胞培養芯片的表面，并至少將所述選定基底表面的圖紋結構完全覆蓋，其后置入細胞培養環境中孵育至所述基質膠充分固化；

以細胞培養完全培養基覆蓋所述固化的基質膠，并在細胞培養環境中持續培養，之后甄別和挑取陽性雜交瘤細胞并進行后續處理。

2.根據權利要求1所述的高通量快速篩選陽性雜交瘤細胞的方法，其特征在于：所述基質膠還包含能與所述陽性雜交瘤細胞分泌的抗體特異性結合的抗原；優選的，所述抗原上還修飾有用于指示有無所述陽性雜交瘤細胞分泌的抗體與所述抗原特異性結合的標記性物質；優選的，所述標記性物質包括熒光探針。

3.根據權利要求1所述的高通量快速篩選陽性雜交瘤細胞的方法，其特征在于，所述三維細胞培養芯片的制備方法包括：

采用軟光刻技術制作具有設定圖案結構的掩模；

以液態高分子化合物或高分子化合物溶液均勻覆蓋所述掩模，并形成具有設定厚度的液層；

使所述液層固化，之后移除掩模，獲得印章，所述印章的印面具有設定立體結構；

以所述印章的印面與修飾劑接觸，使所述修飾劑以可脫離方式附著在所述印面上；

以所述印面與選定基底表面接觸，之后將所述印章從選定基底上移離，從而使至少部分修飾劑脫離所述印面而附著在所述選定基底表面并形成所述圖紋結構，獲得所述三維細胞培養芯片。

4.根據權利要求3所述的高通量快速篩選陽性雜交瘤細胞的方法，其特征在于，所述三維細胞培養芯片的制備方法具體包括：在基片上涂覆一層光刻膠，之后烘烤、曝光，并再次烘烤，其后顯影，制得所述掩模；和/或，所述掩模的厚度為7～15μm。

5.根據權利要求3所述的高通量快速篩選陽性雜交瘤細胞的方法，其特征在于：所述印章印面的設定立體結構由一個以上凸設于所述印章印面的突出部和/或一個以上凹設于所述所述印章印面的下凹部組成。

6.根據權利要求3所述的高通量快速篩選陽性雜交瘤細胞的方法，其特征在于，所述三維細胞培養芯片的制備方法包括：至少將所述印章的印面完全浸漬于液態的修飾劑或修飾劑溶液中，之后取出，使所述修飾劑以可脫離方式附著在所述印面上；優選的，所述三維細胞培養芯片的制備方法包括：在室溫條件下，將所述印章的印面完全浸漬于液態的修飾劑或修飾劑溶液中，保持10min以上，之后取出，洗滌、干燥，使所述修飾劑以可脫離方式附著在所述印面上。

7.根據權利要求3所述的高通量快速篩選陽性雜交瘤細胞的方法，其特征在于：所述高分子化合物包括能夠熱固化和/或光固化的高分子化合物；優選的，所述高分子化合物包括高分子有機硅化合物；優選的，所述高分子化合物包括聚二甲基硅氧烷。

8.根據權利要求1所述的高通量快速篩選陽性雜交瘤細胞的方法，其特征在于：所述圖紋結構中，任一圖案的面積由所需的吸附細胞面積決定，而任意兩個相鄰圖案的距離由所需的相鄰細胞的間距決定；優選的，相鄰圖案之間的間距在30μm以上，尤其優選為30μm～100μm；優選的，所述圖案用以吸附細胞的面積為5μm×5μm～15μm×15μm；和/或，所述圖紋結構的厚度為7～15μm；和/或，所述選定基底表面上除所述圖紋結構所在區域之外的其它區域具有排斥細胞的特性。