[發明專利]半導體芯片、其制造方法、半導體封裝和顯示設備在審
| 申請號: | 201611052848.4 | 申請日: | 2016-11-24 |
| 公開(公告)號: | CN106972004A | 公開(公告)日: | 2017-07-21 |
| 發明(設計)人: | 金明壽 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L23/544 | 分類號: | H01L23/544;H01L21/78 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所11105 | 代理人: | 翟然 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 芯片 制造 方法 封裝 顯示 設備 | ||
1.一種半導體芯片,包括:
電路區域,該電路區域設置在沿第一方向伸長的矩形的中心部分中,所述電路區域包括多個驅動電路單元,所述多個驅動電路單元沿所述第一方向以預定間隔設置;
圍繞所述電路區域設置的多個電極焊盤;以及
設置在所述矩形的四條邊的至少一條處的工藝圖案。
2.如權利要求1所述的半導體芯片,其中,所述矩形包括長邊,該長邊具有比其短邊長的長度,且其中,所述工藝圖案的整體設置在所述矩形的短邊的其中一個處。
3.如權利要求1所述的半導體芯片,其中,所述矩形包括具有比其短邊長的長度的長邊,且其中,所述工藝圖案的一部分設置在所述矩形的至少一條所述長邊處。
4.如權利要求1所述的半導體芯片,其中,所述半導體芯片是與晶片分離的多個芯片中的一個;
其中,所述工藝圖案的整體設置在所述半導體芯片內,或者所述工藝圖案的一部分設置在所述晶片的劃線內,而所述工藝圖案的另一部分設置在所述半導體芯片內;以及
其中,所述工藝圖案的寬度比所述晶片的所述劃線的寬度寬。
5.如權利要求1所述的半導體芯片,其中,所述工藝圖案對應于具有預定尺寸的圖案,該預定尺寸由于光刻工藝中使用的設備而不能被減小。
6.如權利要求5所述的半導體芯片,其中,所述半導體芯片是從晶片分離的多個芯片中的一個;
其中,所述工藝圖案對應于對準標記,且所述工藝圖案的寬度比所述晶片的劃線的寬度寬。
7.如權利要求1所述的半導體芯片,其中,所述矩形包括具有比其短邊長的長度的長邊,且其中,所述半導體芯片中所述矩形的短邊的寬度大于不包括所述工藝圖案的半導體芯片的矩形的短邊的寬度。
其中,當所述頂部金屬層被用于所述電極焊盤的形成時,僅形成所述頂部金屬層的所述部分,且當所述頂部金屬層不用于所述電極焊盤的形成時,所述頂部金屬層被省略。
8.一種半導體芯片,包括:
電路區域,該電路區域設置在矩形的中心部分,所述電路區域包括電路圖案;以及
工藝圖案,圍繞所述電路區域并且在所述矩形的四條邊的至少一條邊處設置。
9.如權利要求8所述的半導體芯片,其中,所述半導體芯片是從晶片分離的多個芯片中的一個,
其中,所述工藝圖案的整體設置在所述半導體芯片內,或者所述工藝圖案的一部分設置在所述晶片的劃線內并且所述工藝圖案的另一部分設置在所述半導體芯片內,以及
其中,由于所述工藝圖案的整體或其一部分設置在所述半導體芯片內,所述晶片的所述劃線的寬度減小,且所述半導體芯片的面積增大。
10.一種制造半導體芯片的方法,所述方法包括:
在晶片中在具有矩形形式的多個芯片中形成電路圖案,并且在所述晶片的劃線內形成工藝圖案,其中,所述電路圖案和所述工藝圖案通過在所述晶片上執行光刻工藝來形成;
在所述多個芯片的每一個內形成電極焊盤;以及
通過切割工藝將所述多個芯片彼此分離,以個體化所述多個芯片;
其中,在形成所述電路圖案和所述工藝圖案中,所述工藝圖案的主工藝圖案被包括在所述多個芯片中的至少一個內。
11.如權利要求10所述的方法,其中,所述矩形包括具有比其短邊長的長度的長邊,其中,所述多個芯片的每一個包括在第一方向上長的顯示驅動器集成電路(DDI),
其中,所述主工藝圖案形成在所述多個芯片的每一個內,且所述主工藝圖案的整體形成在所述矩形的其中一條短邊處或者所述主工藝圖案的一部分形成在所述矩形的至少一條長邊處。
12.如權利要求10所述的方法,其中,所述主工藝圖案包括多個金屬層,且其中當所述電極焊盤通過使用所述主工藝圖案的頂部金屬層形成時,與下部金屬層相比,所述主工藝圖案的僅一部分的頂部金屬層被形成,或者當所述電極圖案在不使用所述頂部金屬層的情況下被形成時,不形成所述頂部金屬層。
13.如權利要求10所述的方法,其中,所述工藝圖案形成在所述多個芯片中的一個內。
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