[發明專利]正壓晶圓表面改性裝置在審

申請號：	201611052519.X	申請日：	2016-11-25
公開（公告）號：	CN108109936A	公開（公告）日：	2018-06-01
發明（設計）人：	魏猛	申請（專利權）人：	沈陽芯源微電子設備有限公司
主分類號：	H01L21/67	分類號：	H01L21/67
代理公司：	沈陽科苑專利商標代理有限公司 21002	代理人：	汪海
地址：	110168 遼***	國省代碼：	遼寧;21
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摘要：
搜索關鍵詞：	上密封蓋下密封體補充氣體晶圓表面進氣口改性裝置加熱盤排廢口正壓半導體晶片加工氮氣表面改性處理沉積均勻性復雜過程機械部件快速安全密封反應有效面積液氣體晶圓腔室加工裝配調試相通
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【權利要求書】：

1.一種正壓晶圓表面改性裝置，其特征在于：包括上密封蓋(3)、下密封體(6)和加熱盤(5)，其中加熱盤(5)設置于下密封體(6)中，上密封蓋(3)設置于所述下密封體(6)上方，在所述上密封蓋(3)的中部設有進氣口(1)，在所述上密封蓋(3)的邊緣設有排廢口(2)，在所述下密封體(6)邊緣設有補充氣體口(7)，且所述排廢口(2)和補充氣體口(7)與所述上密封蓋(3)和下密封體(6)之間的密封反應腔室相通；裝置工作時加工用藥液氣體由所述進氣口(1)流入，氮氣由補充氣體口(7)流入。

2.根據權利要求1所述的正壓晶圓表面改性裝置，其特征在于：所述上密封蓋(3)與下密封體(6)之間設有密封圈。

3.根據權利要求1所述的正壓晶圓表面改性裝置，其特征在于：所述下密封體(6)的邊緣側壁內設有補充氣體口(7)。

4.根據權利要求1或3所述的正壓晶圓表面改性裝置，其特征在于：在所述下密封體(6)的邊緣沿周向均布多個補充氣體口(7)。

5.根據權利要求1所述的正壓晶圓表面改性裝置，其特征在于：在所述上密封蓋(3)的邊緣沿周向均布多個排廢口(2)。

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