[發明專利]正壓晶圓表面改性裝置

在審

• 申請號: 201611052519.X
• 申請日: 2016-11-25
• 公開（公告）號: CN108109936A
• 公開（公告）日: 2018-06-01
• 發明（設計）人: 魏猛
• 申請（專利權）人: 沈陽芯源微電子設備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 沈陽科苑專利商標代理有限公司 21002
• 代理人: 汪海

本發明涉及半導體晶片加工領域，具體地說是一種正壓晶圓表面改性裝置，包括上密封蓋、下密封體和加熱盤，其中加熱盤設置于下密封體中，上密封蓋設置于所述下密封體上方，在所述上密封蓋的中部設有進氣口，在所述上密封蓋的邊緣設有排廢口，在所述下密封體邊緣設有補充氣體口，且所述排廢口和補充氣體口與所述上密封蓋和下密封體之間的密封反應腔室相通；裝置工作時加工用藥液氣體由所述進氣口流入，氮氣由補充氣體口流入。本發明可以快速安全的對加工晶圓進行表面改性處理，將原有技術對機械部件裝配調試的復雜過程簡化，并且減少藥液的使用量，提升藥液在晶圓表面的有效面積內的沉積均勻性。

技術領域

本發明涉及半導體晶片加工領域，具體地說是一種正壓晶圓表面改性裝置。

背景技術

目前，公知的涂膠前晶圓表面極性處理方式為：將晶圓放置于一個密封腔室內，腔室內溫度控制在100-120℃的范圍內，腔室內相對壓力控制在-30～-60Kpa負壓范圍內，氮氣加壓后的HMDS溶劑在發泡網板作用下，產生微小氣泡，氣泡上浮至液面上方破裂后與氮氣混合成氣霧混合氣，混合氣通過管道與密封放置晶圓的腔室連接，在腔室負壓的帶動下迅速噴灑在腔室內靜置的晶圓上。由于負壓管道的效應短時間內只有少部分藥液會作用在晶圓表面，所以為了達到整個晶圓表面都被藥液覆蓋，整個過程需要持續一段時間，藥液的耗費量很大，環境的控制也帶來一定壓力。其主要問題如下：

1、在高頻率的晶圓加工過程中，會反復的從腔室內取送和處理晶圓，整個過程要保證頻繁重復開合的腔室能達到工藝所要求的負壓狀態。

2、HMDS藥液需要大量氮氣發泡后形成氣霧混合氣，需要嚴格的排風系統，需要復雜的安全處理及管路系統。

發明內容

本發明的目的在于提供一種正壓晶圓表面改性裝置，將本裝置放置于涂膠顯影機中，可以快速安全的對加工晶圓進行表面改性處理，將原有技術對機械部件裝配調試的復雜過程簡化，并且減少藥液的使用量，提升藥液在晶圓表面的有效面積內的沉積均勻性。

本發明的目的是通過以下技術方案來實現的：

一種正壓晶圓表面改性裝置，包括上密封蓋、下密封體和加熱盤，其中加熱盤設置于下密封體中，上密封蓋設置于所述下密封體上方，在所述上密封蓋的中部設有進氣口，在所述上密封蓋的邊緣設有排廢口，在所述下密封體邊緣設有補充氣體口，且所述排廢口和補充氣體口與所述上密封蓋和下密封體之間的密封反應腔室相通；裝置工作時加工用藥液氣體由所述進氣口流入，氮氣由補充氣體口流入。

所述上密封蓋與下密封體之間設有密封圈。

所述下密封體的側壁內設有補充氣體口。

在所述下密封體的邊緣沿周向均布多個補充氣體口。

在所述上密封蓋的邊緣沿周向均布多個排廢口。

本發明的優點與積極效果為：

1、本發明可以快速安全的對加工晶圓進行表面改性處理，將原有技術對機械部件裝配調試的復雜過程簡化。

2、本發明減少藥液的使用量，并有效提升藥液在晶圓表面有效面積內的沉積均勻性。

附圖說明

圖1為本發明的示意圖。

其中，1為進氣口，2為排廢口，3為上密封蓋，4為晶圓，5為加熱盤，6為下密封體，7為補充氣體口。

具體實施方式

下面結合附圖對本發明作進一步詳述。