[發明專利]一種增強OPC處理精度的方法

有效

• 申請號: 201611047406.0
• 申請日: 2016-11-22
• 公開（公告）號: CN106707681B
• 公開（公告）日: 2019-10-25
• 發明（設計）人: 孟鴻林;魏芳;朱駿
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36;G03F7/20;G06F17/50
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;張磊

本發明公開了一種增強OPC處理精度的方法，通過利用建立工藝熱點庫信息，對出版數據進行熱點分析和MEEF值判定，對MEEF值在設定值以上的高MEEF圖形進行加強OPC圖形修正和檢查，在此基礎上對工藝熱點庫進行不斷升級，可改善以往在OPC修正時出現的對重復圖形區域在不同的地方隨機修正結果不一樣的問題，提高高MEEF圖形的OPC處理精度，并保持OPC修正結果的一致性；本發明可以和現有的處理方法兼容，同時可以大幅減少系統的運行時間，不但克服了傳統設計隨意性和數據的冗余性，提高了版圖的處理效率，而且可以降低OPC處理的復雜度和運行時間。

技術領域

本發明涉及集成電路制造技術領域，更具體地，涉及一種可以對高MEEF圖形增強OPC處理精度的方法。

背景技術

當前大規模集成電路普遍采用光刻系統進行制造。光刻系統主要分為：照明系統，掩膜，投影系統及硅片四個系統。圖1展示了光刻系統中的光學傳輸原理。從照明系統的光源202發出的光線經過聚光鏡204聚焦后入射至掩膜206，掩膜的開口部分透光；經過掩膜后，光線經投影系統的孔208和透鏡210入射至涂有光刻膠的晶片(硅片)212上，這樣掩膜圖形就復制在晶片上。

當集成電路的最小特征尺寸和間距減小到光刻機所用光源的波長以下時，由于光的干涉和衍射以及顯影等問題，導致曝光在晶片上的圖形嚴重失真，我們稱之為光學鄰近效應(OPE，Optical proximity effect)失真。這些失真引起的偏差可以達到20％，甚至更高，嚴重影響到最終的良率。

為了使光刻結果更符合版圖的設計，一種解決問題的辦法就是引入分辨率增強技術(RET，Resolution enhancement technology)。這種技術主要采用光學鄰近效應校正(OPC，Optical proximity correction)，移相掩膜技術(PSM，Phase Shift Mask)和離軸照明(OAI，Off axis illumination)等方法，以減少光學鄰近效應對集成電路成品率的影響。

然而，隨著集成電路的關鍵尺寸不斷縮小，必須提高光刻的分辨率才能滿足工藝要求。但是在提高分辨率的同時，會導致掩膜版誤差因子(MEEF)的提高。由瑞利公式可知，隨著K1值的減小，MEEF值是增大的，而MEEF值越大，則OPC精度就越難于控制。為了解決這些問題，目前比較通行的辦法是減少這些高MEEF圖形的設計，然而這種方式會給設計者造成不少的限制，而且也不能從根本上解決問題。

傳統的OPC處理流程對于具有高MEEF的圖形并沒有作特別的處理，這樣，一旦客戶的數據圖形比較復雜，則OPC的處理結果不但精度無法保證，而且可能造成處理的時間較長，同時OPC的處理結果也比較隨機。這樣就需要一種方法，在不對客戶設計作特別限定的情況下，增強高MEEF圖形的OPC處理精度。

發明內容

本發明的目的在于克服現有技術存在的上述缺陷，提供一種增強OPC處理精度的方法，用于改善高MEEF圖形OPC修正后圖形精度較低的問題,可在不大幅增加運行時間的前提下加強OPC的檢查，并增強高MEEF圖形的OPC精度。

為實現上述目的，本發明的技術方案如下：

一種增強OPC處理精度的方法，利用一包含EDA軟件和計算機硬件的信息處理及反饋系統實施，包括以下步驟：

步驟101：根據不同工藝平臺的特點，OPC的出版層次和檢查數據結果，以及出版熱點對應的硅片驗證數據，建立MEEF值在設定值以上的工藝熱點庫圖形A₀，并根據工藝熱點的表現情況對工藝熱點實施分級處理，從而將這些圖形A₀存儲在系統中；

步驟102：通過系統讀入需要處理的原始圖形B₀，并與工藝熱點庫中的圖形A₀進行相似度檢查和相似度判定；