[發(fā)明專利]一種增強OPC處理精度的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611047406.0 | 申請日: | 2016-11-22 |
| 公開(公告)號: | CN106707681B | 公開(公告)日: | 2019-10-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 孟鴻林;魏芳;朱駿 | 申請(專利權(quán))人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/36 | 分類號: | G03F1/36;G03F7/20;G06F17/50 |
| 代理公司: | 上海天辰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吳世華;張磊 |
| 地址: | 201210 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理效率 傳統(tǒng)設(shè)計 減少系統(tǒng) 熱點分析 圖形修正 重復(fù)圖形 復(fù)雜度 庫信息 冗余性 判定 兼容 修正 升級 出版 檢查 | ||
1.一種增強OPC處理精度的方法,其特征在于,利用一包含EDA軟件和計算機硬件的信息處理及反饋系統(tǒng)實施,包括以下步驟:
步驟101:根據(jù)不同工藝平臺的特點,OPC的出版層次和檢查數(shù)據(jù)結(jié)果,以及出版熱點對應(yīng)的硅片驗證數(shù)據(jù),建立MEEF值在設(shè)定值以上的工藝熱點庫圖形A0,并根據(jù)工藝熱點的表現(xiàn)情況對工藝熱點實施分級處理,從而將這些圖形A0存儲在系統(tǒng)中;所述MEEF的設(shè)定值為不小于1.5;
步驟102:通過系統(tǒng)讀入需要處理的原始圖形B0,并與工藝熱點庫中的圖形A0進行相似度檢查和相似度判定;
步驟103:通過系統(tǒng)開始對需要處理的原始圖形B0進行OPC修正,并預(yù)測OPC修正后圖形的MEEF大小;其中,在對原始圖形B0進行OPC修正時,對判定相似度為100%的原始圖形B0,直接將工藝熱點庫中對應(yīng)圖形A0的OPC修正結(jié)果替換到其版圖中,在對原始圖形B0進行OPC修正時,對判定相似度低于100%的原始圖形B0,需要預(yù)測其OPC修正后圖形的MEEF大小;
步驟104:通過系統(tǒng)根據(jù)圖形相似度的判定結(jié)果,工藝熱點的分級值,MEEF大小數(shù)據(jù),對MEEF值在設(shè)定值以上的原始圖形B0進行加強修正,得到修正后圖形B1;
步驟105:通過系統(tǒng)對修正后圖形B1進行加強檢查和分類;
步驟106:對其中經(jīng)系統(tǒng)判定MEEF值在設(shè)定值以上的出版熱點圖形進行硅片驗證,并將這些工藝熱點的檢查和驗證結(jié)果存儲至工藝熱點庫;
步驟107:將上述這些工藝熱點的實際MEEF值反饋到系統(tǒng)中,以校正和更新工藝熱點庫,并將工藝熱點庫中的圖形A0升級為圖形A1。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增強OPC處理精度的方法,其特征在于,步驟101中,根據(jù)不同的工藝平臺、工藝層次以及光刻工藝類型來建立相應(yīng)的工藝熱點庫,并將OPC修正結(jié)果的模擬值與目標值偏差超過1%的圖形A0或者硅片驗證值與目標值偏差超過1%的圖形A0收集到工藝熱點庫中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增強OPC處理精度的方法,其特征在于,步驟101中,根據(jù)工藝熱點庫中圖形A0的實際MEEF值大小賦與其不同的權(quán)重,據(jù)此對工藝熱點實施分級處理。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增強OPC處理精度的方法,其特征在于,步驟102中,通過對圖形A0與圖形B0的形狀,面積,寬度,長度進行比較,以及對圖形A0與圖形B0中各個圖形線條之間間隔的最大值和最小值進行比較,并對圖形A0與圖形B0的周圍環(huán)境進行比較和識別,以進行相似度判定。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增強OPC處理精度的方法,其特征在于,步驟104中,進行加強修正時,通過調(diào)用特殊模型的方法,對不同的圖形B0給與不同程度的補償,所述特殊模型根據(jù)工藝熱點庫中存儲的客戶版圖、OPC模擬圖像以及硅片實際SEM圖像之間的關(guān)系而形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增強OPC處理精度的方法,其特征在于,步驟105中,進行加強檢查和分類時,當(dāng)模擬尺寸和目標尺寸之間的偏差超過限定值時,即將該圖形點報錯用以檢查。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增強OPC處理精度的方法,其特征在于,步驟107中,對于實際MEEF值不小于1.5的圖形B1或者是相似度超過30%的圖形B1,對版圖進行截圖,并將對應(yīng)的OPC模擬圖像和硅片實際SEM圖像存儲到系統(tǒng)中,對工藝熱點庫數(shù)據(jù)進行升級。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





