[發(fā)明專利]半導體封裝

在審

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• 申請日: 2016-11-24
• 公開（公告）號: CN107731700A
• 公開（公告）日: 2018-02-23
• 發(fā)明（設計）人: 黃東鴻;翁承誼
• 申請（專利權）人: 南茂科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/48
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205
• 代理人: 馬雯雯,臧建明

技術領域

本發(fā)明涉及一種封裝，尤其涉及一種半導體封裝。

背景技術

隨著科技日新月異，集成電路(integrated circuits，IC)元件已廣泛地應用于我們日常生活當中。一般而言，集成電路的生產主要分為三個階段：硅晶圓的制造、集成電路的制作及集成電路的封裝。

在目前的封裝結構中，將一個芯片以覆晶的方式通過凸塊接合于另一芯片或是一晶圓的走線上是一種相當常見的封裝型態(tài)。一般來說，上述走線的材質會選用具備穩(wěn)定性高、延展性佳與濕潤性(wetting)良好的材質，例如是金，以良率、生產效率、線徑微細化以及與凸塊之間的接合上有良好的表現(xiàn)。然而，若走線的濕潤性太好，凸塊在與走線回焊接合時，可能會沿著走線流動而塌陷，造成相當高的封裝失敗率。

發(fā)明內容

本發(fā)明提供一種半導體封裝，它的其中一個芯片的凸塊能夠與另一個芯片的走線良好地接合且仍具有一定的高度。

本發(fā)明的一種半導體封裝，包括第一芯片及第二芯片。第一芯片包括第一主動面，其中第一主動面包括接合區(qū)、延伸入接合區(qū)的多條走線及配置在這些走線上的多個高潤濕墊，其中這些高潤濕墊配置于這些走線在接合區(qū)內的局部區(qū)域。第二芯片覆晶地配置于第一芯片的接合區(qū)上且包括多個凸塊，其中這些凸塊連接這些走線的這些高潤濕墊，且這些高潤濕墊與這些凸塊之間的潤濕程度分別大于這些走線的其他部分與這些凸塊之間的潤濕程度。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的這些凸塊投影到第一主動面上的區(qū)域位在這些高潤濕墊在第一主動面上的區(qū)域內。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的各高潤濕墊的寬度等于走線的寬度。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的各高潤濕墊的最大長度大于各凸塊投影到第一主動面上的直徑。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的各凸塊投影到第一主動面上的直徑小于或等于走線的寬度。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的這些高潤濕墊在第一主動面上的面積與這些凸塊投影到第一主動面上的面積的比值介于1至1.5之間。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的這些高潤濕墊的材料包括金或是有機保焊劑(Organic Solderability Preservatives，OSP)。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的這些走線在未被這些高潤濕墊覆蓋的部分的材料包括鎳、鋁、銅、鈦、錫或銀錫合金。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的半導體封裝還包括一保護層，配置于第一主動面上且覆蓋部分的這些走線。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的半導體封裝還包括一晶圓，包括陣列排列的多個第一芯片，半導體封裝包括多個第二芯片，這些第二芯片分別覆晶地配置在晶圓的這些第一芯片上。

基于上述，本發(fā)明的半導體封裝藉由將第一芯片在接合區(qū)內的走線的局部區(qū)域配置高潤濕墊，第二芯片通過凸塊接合于第一芯片的高潤濕墊，且這些高潤濕墊與這些凸塊之間的潤濕程度分別大于這些走線的其他部分與這些凸塊之間的潤濕程度的設計，可有效確保凸塊與走線接合時會維持在高濕潤墊的范圍之內，以避免凸塊過于塌陷，而影響半導體封裝的良率。

為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細說明如下。

附圖說明

圖1A是依照本發(fā)明的一實施例的一種半導體封裝的示意圖；

圖1B是沿圖1A的A-A線段的剖面示意圖；

圖2是圖1A的半導體封裝的其中一個半導體封裝的放大俯視示意圖；

圖3是圖2的局部放大示意圖；

圖4是圖3的B區(qū)塊的放大示意圖。

附圖標記：

D：直徑；

L、L1、L2：長度；

W：寬度；

10：半導體封裝；

20：焊球；

100：晶圓；

110：第一芯片；

112：第一主動面；

114：接合區(qū)；

116：走線；

118：高潤濕墊；

200：第二芯片；

210：凸塊。

具體實施方式

圖1A是依照本發(fā)明的一實施例的一種半導體封裝的示意圖。請先參閱圖1A，圖1A顯示了尚未切割的多個半導體封裝10，位于下方的一晶圓100包括陣列排列的多個第一芯片110，多個第二芯片200分別覆晶地配置在晶圓100的這些第一芯片110上。