[發(fā)明專利]半導體封裝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611042499.8 | 申請日： | 2016-11-24 |
| 公開（公告）號： | CN107731700A | 公開（公告）日： | 2018-02-23 |
| 發(fā)明（設計）人： | 黃東鴻;翁承誼 | 申請（專利權）人： | 南茂科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/60 | 分類號： | H01L21/60;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205 | 代理人： | 馬雯雯,臧建明 |
| 地址： | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 封裝 | ||
1.一種半導體封裝，其特征在于，包括：
第一芯片，包括第一主動面，其中所述第一主動面包括接合區(qū)、延伸入所述接合區(qū)的多條走線及配置在所述多個走線上的多個高潤濕墊，其中所述多個高潤濕墊配置于所述多個走線在所述接合區(qū)內的局部區(qū)域；以及
第二芯片，覆晶地配置于所述第一芯片的所述接合區(qū)上且包括多個凸塊，其中所述多個凸塊連接所述多個走線的所述多個高潤濕墊，且所述多個高潤濕墊與所述多個凸塊之間的潤濕程度分別大于所述多個走線的其他部分與所述多個凸塊之間的潤濕程度。
2.根據權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，所述多個凸塊投影到所述第一主動面上的區(qū)域位在所述多個高潤濕在所述第一主動面上的區(qū)域內。
3.根據權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，各所述高潤濕墊的寬度等于所述走線的寬度。
4.根據權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，各所述高潤濕墊的最大長度大于各所述凸塊投影到所述第一主動面上的直徑。
5.根據權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，各所述凸塊投影到所述第一主動面上的直徑小于或等于所述走線的寬度。
6.根據權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，所述多個高潤濕墊在所述第一主動面上的面積與所述多個凸塊投影到所述第一主動面上的面積的比值介于1至1.5之間。
7.根據權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，所述多個高潤濕墊的材料包括金或是有機保焊劑。
8.根據權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，所述多個走線在未被所述多個高潤濕墊覆蓋的部分的材料包括鎳、鋁、銅、鈦、錫或銀錫合金。
9.根據權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，還包括：
保護層，配置于所述第一主動面上且覆蓋部分的所述多個走線。
10.根據權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，還包括：
晶圓，包括陣列排列的多個所述第一芯片，所述半導體封裝包括多個所述第二芯片，所述多個第二芯片分別覆晶地配置在所述晶圓的所述多個第一芯片上。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
