[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611042498.3
• 申請(qǐng)日: 2016-11-24
• 公開（公告）號(hào): CN107731759A
• 公開（公告）日: 2018-02-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊承育;翁承誼
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南茂科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/31
• 分類號(hào): H01L23/31;H01L25/07;H01L23/52
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11205
• 代理人: 馬雯雯,臧建明

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種封裝，尤其涉及一種半導(dǎo)體封裝。

背景技術(shù)

隨著科技日新月異，集成電路(integrated circuits，IC)元件已廣泛地應(yīng)用于我們?nèi)粘Ｉ町?dāng)中。一般而言，集成電路的生產(chǎn)主要分為三個(gè)階段：硅晶圓的制造、集成電路的制作及集成電路的封裝。

在目前的封裝結(jié)構(gòu)中，將小尺寸的芯片以覆晶的方式配置于大尺寸的芯片上是一種相當(dāng)常見的封裝型態(tài)。大尺寸的芯片上可以具有焊球接墊，之后通過配置焊球以將封裝結(jié)構(gòu)電性連接于線路板。一般來說，大小兩芯片之間的接合處會(huì)填入底填膠以保護(hù)兩芯片之間的導(dǎo)電凸塊。然而，若位在大尺寸的芯片上的焊球接墊的位置太接近欲填入底填膠的位置時(shí)，在底填膠的填入工藝中有可能會(huì)發(fā)生底填膠外溢到焊球接墊上，而影響后續(xù)焊球的電性連接狀態(tài)。即便先將焊球配置在焊球接墊上，底填膠也可能會(huì)外溢到焊球上，影響之后焊球與其他線路板的電性連接狀態(tài)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝，其可降低底填膠外溢到焊球接墊或焊球的機(jī)率。

本發(fā)明的一種半導(dǎo)體封裝，包括第一芯片、絕緣保護(hù)層、多個(gè)第一導(dǎo)電凸塊、第二芯片、多個(gè)第二導(dǎo)電凸塊及底填膠。第一芯片包括第一主動(dòng)面，其中第一主動(dòng)面具有芯片接合區(qū)、多個(gè)位于芯片接合區(qū)內(nèi)的第一內(nèi)接點(diǎn)以及多個(gè)位于芯片接合區(qū)外的第一外接點(diǎn)。絕緣保護(hù)層配置于第一芯片的第一主動(dòng)面上，這些第一內(nèi)接點(diǎn)與這些第一外接點(diǎn)外露于絕緣保護(hù)層，絕緣保護(hù)層包括凹槽，其中這些第一內(nèi)接點(diǎn)在絕緣保護(hù)層上的投影位于凹槽的范圍內(nèi)，這些第一外接點(diǎn)在絕緣保護(hù)層上的投影位于凹槽的范圍外。這些第一導(dǎo)電凸塊配置于這些第一外接點(diǎn)上。第二芯片覆置于(flip on)絕緣保護(hù)層的凹槽上且對(duì)應(yīng)于芯片接合區(qū)處，且第二芯片具有多個(gè)第二接點(diǎn)。這些第二導(dǎo)電凸塊位于凹槽內(nèi)且位于這些第一內(nèi)接點(diǎn)與這些第二接點(diǎn)之間，各第一內(nèi)接點(diǎn)分別通過對(duì)應(yīng)的第二導(dǎo)電凸塊與對(duì)應(yīng)的第二接點(diǎn)電性連接。底填膠位在絕緣保護(hù)層的凹槽與第二芯片之間，底填膠包覆這些第二導(dǎo)電凸塊。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的凹槽在第一主動(dòng)面上的區(qū)域至少包括第二芯片投影至第一主動(dòng)面上的區(qū)域。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的凹槽的深度小于絕緣保護(hù)層的厚度。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的凹槽的深度等于絕緣保護(hù)層的厚度。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第二芯片包括第二主動(dòng)面及相對(duì)于第二主動(dòng)面的背面，凹槽的深度小于第二芯片的背面至凹槽的底面之間的距離。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第一芯片的尺寸大于第二芯片的尺寸。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的各第一導(dǎo)電凸塊的高度大于各第二導(dǎo)電凸塊的高度。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的半導(dǎo)體封裝還包括線路板，其中線路板與這些第一導(dǎo)電凸塊電性連接，且第二芯片、這些第一導(dǎo)電凸塊以及這些第二導(dǎo)電凸塊位于線路板與第一芯片之間。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的這些第一導(dǎo)電凸塊或這些第二導(dǎo)電凸塊為銅柱(Copper Pillar)。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的這些第一導(dǎo)電凸塊或這些第二導(dǎo)電凸塊為銅柱上設(shè)置一層錫。

基于上述，本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝通過將絕緣保護(hù)層配置在第一芯片的第一主動(dòng)面上，絕緣保護(hù)層上具有其尺寸介于第一芯片的第一內(nèi)接點(diǎn)所圍繞出的范圍與第一外接點(diǎn)所圍繞出的之間的凹槽，第二芯片覆置于絕緣保護(hù)層的凹槽上且通過位于凹槽內(nèi)的第二導(dǎo)電凸塊來與第一芯片電性連接。由于用來保護(hù)第二導(dǎo)電凸塊的底填膠會(huì)填充于絕緣保護(hù)層的凹槽與第二芯片之間，底填膠的流動(dòng)范圍會(huì)被凹槽所限制。換句話說，本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝藉由絕緣保護(hù)層的凹槽來局限底填膠的流動(dòng)范圍，而降低底填膠外溢的機(jī)率。

為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下。

附圖說明

圖1是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體封裝的側(cè)視示意圖；

圖2是圖1的半導(dǎo)體封裝隱藏線路板的俯視示意圖；

圖3是圖1的半導(dǎo)體封裝隱藏線路板的局部放大示意圖。

附圖標(biāo)記：

D：深度；

H：距離；

L1、L2：長度；

T：厚度；

W1、W2：寬度；

100：半導(dǎo)體封裝；

110：第一芯片；

112：第一主動(dòng)面；

114：芯片接合區(qū)；

116：第一內(nèi)接點(diǎn)；

118：第一外接點(diǎn)；

120：絕緣保護(hù)層；

122：凹槽；