[發明專利]半導體封裝

在審

• 申請號: 201611042498.3
• 申請日: 2016-11-24
• 公開（公告）號: CN107731759A
• 公開（公告）日: 2018-02-23
• 發明（設計）人: 楊承育;翁承誼
• 申請（專利權）人: 南茂科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L25/07;H01L23/52
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205
• 代理人: 馬雯雯,臧建明

1.一種半導體封裝，其特征在于，包括：

第一芯片，包括第一主動面，其中所述第一主動面具有芯片接合區、多個位于所述芯片接合區內的第一內接點以及多個位于所述芯片接合區外的第一外接點；

絕緣保護層，配置于所述第一芯片的所述第一主動面上，所述多個第一內接點與所述多個第一外接點外露于所述絕緣保護層，所述絕緣保護層包括一凹槽，其中所述多個第一內接點在所述絕緣保護層上的投影位于所述凹槽的范圍內，所述多個第一外接點在所述絕緣保護層上的投影位于所述凹槽的范圍外；

多個第一導電凸塊，配置于所述多個第一外接點上；

第二芯片，覆置于所述絕緣保護層的所述凹槽上且對應于所述芯片接合區處，且所述第二芯片具有多個第二接點；

多個第二導電凸塊，位于所述凹槽內且位于所述多個第一內接點與所述多個第二接點之間，各所述第一內接點分別通過對應的所述第二導電凸塊與對應的所述第二接點電性連接；以及

底填膠，位在所述絕緣保護層的所述凹槽與所述第二芯片之間，所述底填膠包覆所述多個第二導電凸塊。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，所述凹槽在所述第一主動面上的區域至少包括所述第二芯片投影至所述第一主動面上的區域。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，所述凹槽的深度小于所述絕緣保護層的厚度。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，所述凹槽的深度等于所述絕緣保護層的厚度。

5.根據權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，所述第二芯片包括第二主動面及相對于所述第二主動面的背面，所述凹槽的深度小于所述第二芯片的所述背面至所述凹槽的一底面之間的距離。

6.根據權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，所述第一芯片的尺寸大于所述第二芯片的尺寸。

7.根據權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，各所述第一導電凸塊的高度大于各所述第二導電凸塊的高度。

8.根據權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，還包括：

線路板，其中所述線路板與所述多個第一導電凸塊電性連接，且所述第二芯片、所述多個第一導電凸塊以及所述多個第二導電凸塊位于所述線路板與所述第一芯片之間。

9.根據權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，所述多個第一導電凸塊或所述多個第二導電凸塊為銅柱。

10.根據權利要求9所述的半導體封裝，其特征在于，所述多個第一導電凸塊或所述多個第二導電凸塊為銅柱上設置錫層。