[發明專利]半導體器件、顯示裝置和上述裝置的制造方法

在審

• 申請號: 201611042379.8
• 申請日: 2016-11-23
• 公開（公告）號: CN107170747A
• 公開（公告）日: 2017-09-15
• 發明（設計）人: 大原宏樹
• 申請（專利權）人: 株式會社日本顯示器
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司11322
• 代理人: 邸萬杰

技術領域

本發明涉及半導體器件、具有半導體器件的顯示裝置和上述裝置的制造方法。

背景技術

作為顯示半導體特性的代表的例能夠列舉硅(硅)、鍺等的第14族元素。特別是硅因容易入手、容易加工、優良的半導體特性、容易控制特性等，在幾乎所有的半導體器件中使用，被定位于支撐電子工業的基礎的材料。

近年來，氧化物、特別是銦、鎵等的13族元素的氧化物顯現出半導體特性，以此為契機進行努力的研究開發。作為顯示半導體特性的代表的氧化物(以下，氧化物半導體)已知銦―鎵氧化物(IGO)、銦―鎵―鋅氧化物(IGZO)等。最近的努力的研究開發的結果，作為半導體元件具有包含上述的氧化物半導體的晶體管的顯示裝置得以上市銷售。另外，例如在日本特開2015-225104號公報中公開的方式，也開發組裝有具有包含硅的半導體(以下，硅半導體)的晶體管和具有氧化物半導體的晶體管的兩者的半導體器件。

發明內容

用于解決技術問題的技術方案

本發明的實施方式之一是一種半導體器件，其特征在于，包括：具有氧化物半導體膜的第1晶體管；第1晶體管上的層間膜；和位于層間膜上，具有含硅的半導體膜的第2晶體管。

本發明的實施方式之一是一種顯示裝置，其特征在于，包括：基板；位于基板上，包含含顯示元件的像素的顯示區域；和位于基板上，構成為控制上述顯示元件的驅動電路，上述像素包括：包含氧化物半導體膜，與顯示元件電連接的第1晶體管；第1晶體管上的層間膜；和位于層間膜上，與第1晶體管電連接，具有含硅的半導體膜的第2晶體管。

本發明的實施方式的之一是半導體器件的制造方法，該制造方法在基板上形成具有氧化物半導體膜的第1晶體管，在第1晶體管上形成層間膜，在層間膜上形成與第1晶體管電連接的、具有含硅的半導體膜的第2晶體管。

附圖說明

圖1是本發明的實施方式之一的半導體器件的截面示意圖。

圖2是本發明的實施方式之一的半導體器件的截面示意圖。

圖3是本發明的實施方式之一的半導體器件的截面示意圖。

圖4是本發明的實施方式之一的半導體器件的截面示意圖。

圖5A至圖5D是表示本發明的實施方式之一的半導體器件的制造方法的截面示意圖。

圖6A至圖6C是表示本發明的實施方式之一的半導體器件的制造方法的截面示意圖。

圖7A、圖7B是表示本發明的實施方式之一的半導體器件的制造方法的截面示意圖。

圖8A、圖8B是表示本發明的實施方式之一的半導體器件的制造方法的截面示意圖。

圖9是表示本發明的實施方式之一的半導體器件的制造方法的截面示意圖。

圖10是本發明的實施方式之一的顯示裝置的上表面示意圖。

圖11是本發明的實施方式之一的顯示裝置的像素的等效電路。

圖12是本發明的實施方式之一的顯示裝置的截面示意圖。

圖13是本發明的實施方式之一的顯示裝置的截面示意圖。

圖14是本發明的實施方式之一的顯示裝置的截面示意圖。

圖15是本發明的實施方式之一的顯示裝置的截面示意圖。

圖16是本發明的實施方式之一的顯示裝置的截面示意圖。

具體實施方式

以下，參照附圖等對本發明的各實施方式進行說明。本發明在不脫離其主旨的范圍內能夠以各種方式實施，不限于以下所例示的實施方式的記載內容進行解釋。

在附圖中，為了使說明更加明確，有時與實際的情況相比，對各部分的寬度、厚度、形狀等示意地表示，但是終歸是一個例子，不限定本發明的解釋。在本說明書和各圖中，關于與在已有的圖中已說明的內容同樣的功能的要素，標注同一附圖標記，省略重復的說明。

在本發明中，在對某一個膜進行加工而形成多個膜的情況下，上述多個的膜具有不同的功能、作用。但是，上述多個膜來自在同一的工序中作為同一層成的膜，具有同一的層構造、同一的材料。所以，上述多個膜定義為存在于同一層。

在本說明書和權利要求的范圍內，在表現在某一構造體之上配置另一構造體的方式時，簡單標記為“之上”的情況只要無特別說明，包括以與某一構造體相接的方式在正上方配置另一構造體的情況和在某一構造體的上方還隔著另外的構造體配置另一構造體的情況的兩者。

(第1實施方式)

本實施方式中，使用圖1至圖4說明本發明的實施方式之一所涉及的半導體器件。

[1.半導體器件100]