[發明專利]半導體器件、顯示裝置和上述裝置的制造方法

在審

• 申請號: 201611042379.8
• 申請日: 2016-11-23
• 公開（公告）號: CN107170747A
• 公開（公告）日: 2017-09-15
• 發明（設計）人: 大原宏樹
• 申請（專利權）人: 株式會社日本顯示器
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司11322
• 代理人: 邸萬杰

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：

基板；

位于所述基板上，具有氧化物半導體膜的第1晶體管；

所述第1晶體管上的層間膜；和

位于所述層間膜上，具有含硅的半導體膜的第2晶體管。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：

所述第1晶體管包括所述氧化物半導體膜、所述氧化物半導體膜上的第1柵極絕緣膜和所述第1柵極絕緣膜上的第1柵極，

所述層間膜包含無機絕緣體，

所述第2晶體管包括所述半導體膜、所述半導體膜上的第2柵極絕緣膜和所述第2柵極絕緣膜上的第2柵極。

3.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：

所述半導體膜包含多晶硅。

4.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：

所述層間膜包括：

包含氧化硅的第1層、

位于所述第1層上，包含氮化硅的第2層；和

位于所述第2層上，包含氧化硅的第3層。

5.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：

在所述第1晶體管之下具有金屬膜，所述金屬膜位于所述基板和所述氧化物半導體膜之間。

6.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于：

所述第2柵極包含鋁。

7.一種顯示裝置，其特征在于，包括：

基板；

位于所述基板上，包含含顯示元件的像素的顯示區域；和

位于所述基板上，構成為控制所述顯示元件的驅動電路，

所述像素包括：

包含氧化物半導體膜，與所述顯示元件電連接的第1晶體管；

所述第1晶體管上的層間膜；和

位于所述層間膜上，與所述第1晶體管電連接，具有含硅的半導體膜的第2晶體管。

8.如權利要求7所述的顯示裝置，其特征在于：

所述第1晶體管包括所述氧化物半導體膜、所述氧化物半導體膜上的第1柵極絕緣膜和所述第1柵極絕緣膜上的第1柵極，

所述層間膜包含無機絕緣體，

所述第2晶體管包括所述半導體膜、所述半導體膜上的第2柵極絕緣膜和所述第2柵極絕緣膜上的第2柵極。

9.如權利要求7所述的顯示裝置，其特征在于：

所述驅動電路具有位于所述顯示區域的外側且包含氧化物半導體膜的第3晶體管。

10.如權利要求7所述的顯示裝置，其特征在于：

所述層間膜包括：

包含氧化硅的第1層；

位于所述第1層上，包含氮化硅的第2層；和

位于所述第2層上，包含氧化硅的第3層。

11.如權利要求7所述的顯示裝置，其特征在于：

所述像素在所述氧化物半導體膜和所述基板之間具有金屬膜。

12.如權利要求7所述的顯示裝置，其特征在于：

所述像素包括：

驅動晶體管，其源極和漏極電極的一者與所述顯示元件的電極連接；和

開關晶體管，其源極和漏極電極的一者與所述驅動晶體管的柵極電極連接，

所述第1的晶體管是所述驅動晶體管，

所述第2晶體管是所述開關晶體管。

13.如權利要求8所述的顯示裝置，其特征在于：

所述第2柵極包含鋁。

14.一種半導體器件的制造方法，其特征在于：

在基板上形成具有氧化物半導體膜的第1晶體管，

在所述第1晶體管上形成層間膜，

在所述層間膜上形成與所述第1晶體管電連接的、具有含硅的半導體膜的第2晶體管。

15.如權利要求14所述的半導體器件的制造方法，其特征在于：

所述第1晶體管包括所述氧化物半導體膜、所述氧化物半導體膜上的第1柵極絕緣膜和所述第1柵極絕緣膜上的第1柵極，

所述層間膜包含無機絕緣體，

所述第2晶體管包括所述半導體膜、所述半導體膜上的第2柵極絕緣膜和所述第2柵極絕緣膜上的第2柵極。

16.如權利要求14所述的半導體器件的制造方法，其特征在于：

所述半導體膜包含多晶硅。