[發明專利]電子設備

有效

• 申請號: 201611041666.7
• 申請日: 2016-11-22
• 公開（公告）號: CN107274932B
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 任爀祥
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C29/50
• 分類號: G11C29/50
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 李少丹;許偉群

提供一種包括半導體存儲器的電子設備。半導體存儲器可以包括：單元陣列，包括多個阻變儲存單元；電流碼發生塊，適用于在測試操作中產生電流碼，該電流碼具有與分別流經所述多個阻變儲存單元之中的至少兩個第一阻變儲存單元的測試電流的電流量的平均值相對應的值；以及感測塊，適用于將流經所述多個阻變儲存單元之中的選中的第二阻變儲存單元的讀取電流與參考電流相比較，由此感測第二阻變儲存單元的數據，其中，半導體存儲器能操作以基于電流碼的值來調整流經感測塊的至少一個電流的電流量。

相關申請的交叉引用

本申請要求2016年4月8日提交給韓國知識產權局的第10-2016-0043276號韓國專利申請的優先權和益處，其全部內容通過引用其整體合并于此。

技術領域

本專利文件涉及存儲電路或器件以及它們在電子設備或系統中的應用。

背景技術

近來，隨著電子裝置朝著微型化、低功耗、高性能、多功能等方向發展，本領域需要能在諸如計算機、便攜式通信器件等各種電子裝置中儲存信息的半導體器件，且已經對這樣的半導體器件開展了研發。這種半導體器件包括能利用根據施加的電壓或電流在不同的電阻狀態之間切換的特性來儲存數據的半導體器件，例如，RRAM(阻變隨機存取存儲器)、PRAM(相變隨機存取存儲器)、FRAM(鐵電隨機存取存儲器)、MRAM(磁隨機存取存儲器)、電子熔絲等。

發明內容

下面在各個實施例中描述具有半導體存儲器的電子設備的技術，其中，通過將每個單元陣列的特性反映在讀取電流或參考電流上，來增加讀取裕度。

在一個實施例中，一種電子設備可以包括半導體存儲器。

半導體存儲器可以包括：單元陣列，包括多個阻變儲存單元；電流碼發生塊，適用于在測試操作中產生電流碼，所述電流碼具有與分別流經所述多個阻變存儲單元之中的至少兩個第一阻變儲存單元的測試電流的電流量的平均值相對應的值；以及感測塊，適用于將流經所述多個阻變儲存單元之中的選中的第二阻變儲存單元的讀取電流與參考電流相比較，由此感測第二阻變儲存單元的數據，其中，半導體存儲器能操作以基于電流碼的值來調整流經感測塊的至少一個電流的電流量。

半導體存儲器還可以包括：非易失性儲存塊，用于儲存電流碼，且耦接到電流碼發生塊。

電流碼發生塊可以包括：平均電流發生單元，在測試操作中產生平均電流，所述平均電流具有與測試電流的電流量的平均值相對應的電流量；以及碼發生單元，基于平均電流產生電流碼。

平均電流發生單元可以包括至少兩個電流復制部，所述至少兩個電流復制部通過復制流經一組第一阻變儲存單元之中的選中的第一阻變儲存單元的測試電流來產生復制電流，并且平均電流發生單元通過將由所述至少兩個電流復制部復制的復制電流相加來產生平均電流。

碼發生單元可以包括：積分器，根據時間對平均電流積分以及產生輸出電壓；以及多個比較部，從積分器的積分開始的時間開始經過預定時間之后，所述多個比較部將輸出電壓與具有不同電平的多個比較電壓相比較，以及產生在電流碼中包括的多個位之中的相應的位。

半導體存儲器可以被構造成，在測試操作中，所述多個阻變儲存單元被寫入相同的數據。

半導體存儲器能操作以基于電流碼的值來調整參考電流的電流量，以及當測試電流的電流量的平均值增大時，半導體存儲器能操作以增加參考電流的電流量，而當測試電流的電流量的平均值減小時，半導體存儲器能操作以減少參考電流的電流量。

半導體存儲器可以操作以基于電流碼的值來調整讀取電流的電流量，以及當測試電流的電流量的平均值增大時，半導體存儲器能操作以減少讀取電流的電流量，而當測試電流的電流量的平均值減小時，半導體存儲器能操作以增加讀取電流的電流量。