[發明專利]電子設備有效
| 申請號: | 201611041666.7 | 申請日: | 2016-11-22 |
| 公開(公告)號: | CN107274932B | 公開(公告)日: | 2021-02-26 |
| 發明(設計)人: | 任爀祥 | 申請(專利權)人: | 愛思開海力士有限公司 |
| 主分類號: | G11C29/50 | 分類號: | G11C29/50 |
| 代理公司: | 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 李少丹;許偉群 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子設備 | ||
1.一種包括半導體存儲器的電子設備,所述半導體存儲器包括:
用于儲存數據的單元陣列,這些單元陣列中的每個包括用于儲存數據的多個阻變儲存單元;
電流碼發生塊,所述電流碼發生塊包括耦接至對應單元陣列以在測試操作期間能操作的電流碼發生塊,并且被構建成:提供流經所述對應單元陣列中的至少兩個第一阻變儲存單元的測試電流,獲得與測試電流的平均值相對應的平均電流,以及基于所述平均電流產生電流碼;以及
感測塊,所述感測塊包括耦接至所述對應單元陣列的感測塊,并且被構建成將流經所述對應單元陣列的第二阻變儲存單元的讀取電流與參考電流相比較,由此感測所述第二阻變儲存單元的數據,
其中,半導體存儲器關聯于所述對應單元陣列而能操作以基于電流碼的值來調整參考電流或流經第二阻變儲存單元的讀取電流的電流量,
其中,當平均電流增大時,半導體存儲器能操作以減小感測塊的讀取電流,而當平均電流減小時,半導體存儲器能操作以增大感測塊的讀取電流。
2.根據權利要求1所述的電子設備,其中,半導體存儲器還包括:
非易失性儲存塊,耦接到所述電流碼發生塊且被構造成用于儲存電流碼。
3.根據權利要求1所述的電子設備,其中,所述電流碼發生塊中的每個包括:
平均電流發生單元,在測試操作中產生平均電流,所述平均電流具有與測試電流的電流量的平均值相對應的電流量;以及
碼發生單元,基于所述平均電流而產生電流碼。
4.根據權利要求3所述的電子設備,其中,所述平均電流發生單元包括至少兩個電流復制部,所述至少兩個電流復制部通過復制流經一組第一阻變儲存單元之中的選中的第一阻變儲存單元的測試電流來產生復制電流,以及平均電流發生單元通過將由所述至少兩個電流復制部復制的復制電流相加而產生平均電流。
5.根據權利要求1所述的電子設備,其中,半導體存儲器被構造成使得在測試操作中,全部這些單元陣列都被寫入相同的數據。
6.根據權利要求1所述的電子設備,
其中,當平均電流增大時,半導體存儲器能操作以增大感測塊的參考電流,而當平均電流減小時,半導體存儲器能操作以減小感測塊的參考電流。
7.根據權利要求1所述的電子設備,其中
所述多個阻變儲存單元中的每個包括:
可變電阻元件,被構造成展現可變電阻值,且被設置成表示該阻變儲存單元中儲存的數據的特定電阻值;以及
選擇元件,耦接到可變電阻元件以導通或切斷到所述可變電阻元件的導電路徑。
8.根據權利要求7所述的電子設備,其中,所述可變電阻元件包括金屬氧化物或包括其中隧道勢壘層介于兩個鐵磁層之間的結構。
9.根據權利要求1所述的電子設備,還包括微處理器,
其中,所述微處理器包括:
訪問控制單元,適用于從微處理器的外部接收具有命令的信號,提取或解碼命令或者執行微處理器的信號的輸入/輸出控制;
操作單元,適用于根據所述訪問控制單元中的命令的解碼結果來執行操作;以及
儲存單元,適用于儲存要操作的數據、與操作結果相對應的數據或者要操作的數據的地址,以及
其中,所述半導體存儲器是所述微處理器內的儲存單元的部件。
10.根據權利要求1所述的電子設備,還包括處理器,
其中,所述處理器包括:
核心單元,適用于根據從處理器的外部輸入的命令來使用數據執行與所述命令相對應的操作;
高速緩沖存儲單元,適用于儲存要操作的數據、與操作結果相對應的數據或者要操作的數據的地址;以及
總線接口,耦接在核心單元與高速緩沖存儲單元之間,且在核心單元與高速緩沖存儲單元之間傳輸數據,以及
其中,所述半導體存儲器是所述處理器內的高速緩沖存儲單元的部件。
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