[發(fā)明專利]一種碲鋅鎘基碲鎘汞薄膜的磨拋損傷測(cè)試方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611041446.4 | 申請(qǐng)日： | 2016-11-24 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN106546619A | 公開（公告）日： | 2017-03-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 許秀娟 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十一研究所 |
| 主分類號(hào)： | G01N23/22 | 分類號(hào)： | G01N23/22 |
| 代理公司： | 工業(yè)和信息化部電子專利中心11010 | 代理人： | 于金平 |
| 地址： | 100015*** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 碲鋅鎘基碲鎘汞 薄膜 損傷 測(cè)試 方法 | ||
【說(shuō)明書】：
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G01 測(cè)量；測(cè)試
G01N 借助于測(cè)定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N23-00 利用未包括在G01N 21/00或G01N 22/00組內(nèi)的波或粒子輻射來(lái)測(cè)試或分析材料，例如X射線、中子
G01N23-02 .通過使輻射透過材料
G01N23-20 .利用輻射的衍射，例如，用于測(cè)試晶體結(jié)構(gòu)；利用輻射的反射
G01N23-22 .通過測(cè)量二次發(fā)射
G01N23-221 ..利用活化分析法
G01N23-223 ..通過用X射線輻照樣品以及測(cè)量X射線熒光
G01N 借助于測(cè)定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N23-00 利用未包括在G01N 21/00或G01N 22/00組內(nèi)的波或粒子輻射來(lái)測(cè)試或分析材料，例如X射線、中子
G01N23-02 .通過使輻射透過材料
G01N23-20 .利用輻射的衍射，例如，用于測(cè)試晶體結(jié)構(gòu)；利用輻射的反射
G01N23-22 .通過測(cè)量二次發(fā)射
G01N23-221 ..利用活化分析法
G01N23-223 ..通過用X射線輻照樣品以及測(cè)量X射線熒光
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