[發明專利]抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器編程后老化試驗裝置和方法

有效

• 申請號: 201611041190.7
• 申請日: 2016-11-11
• 公開（公告）號: CN106782667B
• 公開（公告）日: 2020-06-30
• 發明（設計）人: 王茂森;吳杰;朱新忠;范宇飛;劉凱俊;劉偉亮;章泉源;魏文超;閔康磊
• 申請（專利權）人: 上海航天測控通信研究所
• 主分類號: G11C29/50
• 分類號: G11C29/50;G11C29/56;G11C29/02
• 代理公司: 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236
• 代理人: 胡晶

本發明提供了一種抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器編程后老化試驗方法和裝置，方法包括：步驟1，將編程后的抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器進行第一溫度烘焙，持續至少64小時后完成靜態老化，所述第一溫度為140～150℃；步驟2，調整溫度至第二溫度，向靜態老化后的所述存儲器發送激勵信號，并采集所述存儲器響應所述激勵信號獲得的信號處理數據，持續至少160小時后完成動態老化，所述第二溫度為100～125℃；步驟3，根據預存的校驗數據對所述信號處理數據進行校驗。本發明能夠讓所述編程后的抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器度過早期失效期，將潛在的缺陷盡早暴露，剔除缺陷芯片。

技術領域

本發明涉及芯片老化試驗技術領域，具體地，涉及一種抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器編程后老化試驗裝置和方法。

背景技術

實踐證明大多數設備的故障率是時間的函數，典型故障曲線稱之為浴盆曲線(Bathtub curve,失效率曲線)。浴盆曲線是指產品從投入到報廢為止的整個壽命周期內，其可靠性的變化呈現一定的規律。如果取產品的失效率作為產品的可靠性特征值，它是以使用時間為橫坐標，以失效率為縱坐標的一條曲線。因該曲線兩頭高，中間低，有些像浴盆，所以稱為“浴盆曲線”。失效率隨使用時間變化分為三個階段：早期失效期、偶然失效期和耗損失效期。早期失效期(Infant Mortality)：表明產品在開始使用時,失效率很高,但隨著產品工作時間的增加,失效率迅速降低。偶然失效期，也稱隨機失效期(Random Failures)：這一階段的特點是失效率較低，且較穩定，往往可近似看作常數，產品可靠性指標所描述的就是這個時期，這一時期是產品的良好使用階段。而航天產品中的正常使用階段是在太空中或其他不便于維修的場所，因此度過早期失效期進入性能較為平穩的隨機失效期后進入使用、保證器件在正常使用中保持穩定的性能是研究的重點。

抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器可能由于硅片的晶格缺陷、制造過程中的材料純凈度問題、氣相存在雜質等因素導致一些工藝缺陷?？馆椪諙叛鯎舸┬蚉ROM存儲器為一次性編程器件，編程過程實際是利用高壓將MOS管的柵氧化層擊穿與否，達到存儲“0”或“1”的目的。編程的過程實際上是一個破壞性的過程，因此在編程之后的器件可能因為工藝的缺陷而出現一些潛在問題，而這些潛在問題只有在使用之后才會逐漸顯現。

因此如何讓編程后的抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器度過早期失效期，如何盡早地發現可能的潛在缺陷，剔除問題器件，篩選出合格芯片是目前的研究重點之一。

發明內容

針對現有技術中的缺陷，本發明的目的是提供一種抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器編程后老化試驗裝置和方法。

根據本發明提供的一種抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器編程后老化試驗方法，包括：

步驟1，將編程后的抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器進行第一溫度烘焙，持續至少64小時后完成靜態老化，所述第一溫度為140～150℃；

步驟2，調整溫度至第二溫度，向靜態老化后的所述存儲器發送激勵信號，并采集所述存儲器響應所述激勵信號獲得的信號處理數據，持續至少160小時后完成動態老化，所述第二溫度為100～125℃；

步驟3，根據預存的校驗數據對所述信號處理數據進行校驗。

作為一種優化方案，所述步驟3之后還包括步驟4：根據所述校驗篩選獲得功能正常的存儲器。

作為一種優化方案，所述步驟3中的校驗數據通過所述存儲器內編輯的程序運行所述激勵信號而獲得。

作為一種優化方案，所述步驟2還包括向所述存儲器進行最高5.5V供電。

作為一種優化方案，所述第一溫度為150℃。

作為一種優化方案，所述第二溫度為125℃。