[發明專利]抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器編程后老化試驗裝置和方法有效
| 申請號： | 201611041190.7 | 申請日： | 2016-11-11 |
| 公開（公告）號： | CN106782667B | 公開（公告）日： | 2020-06-30 |
| 發明（設計）人： | 王茂森;吳杰;朱新忠;范宇飛;劉凱俊;劉偉亮;章泉源;魏文超;閔康磊 | 申請（專利權）人： | 上海航天測控通信研究所 |
| 主分類號： | G11C29/50 | 分類號： | G11C29/50;G11C29/56;G11C29/02 |
| 代理公司： | 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 201109 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 輻照 擊穿 prom 存儲器 編程 老化 試驗裝置 方法 | ||
1.一種抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器編程后老化試驗方法，其特征在于，包括：
步驟1，將編程后的抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器進行第一溫度烘焙，持續至少64小時后完成靜態老化，所述第一溫度為140～150℃；
步驟2，調整溫度至第二溫度，向靜態老化后的所述存儲器發送激勵信號，并采集所述存儲器響應所述激勵信號獲得的信號處理數據，持續至少160小時后完成動態老化，所述第二溫度為100～125℃；
步驟3，根據預存的校驗數據對所述信號處理數據進行校驗。
2.根據權利要求1所述的一種抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器編程后老化試驗方法，其特征在于，所述步驟3之后還包括步驟4：根據所述校驗的結果篩選獲得功能正常的存儲器。
3.根據權利要求1所述的一種抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器編程后老化試驗方法，其特征在于，所述步驟3中的校驗數據通過所述存儲器內編輯的程序運行所述激勵信號而獲得。
4.根據權利要求1所述的一種抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器編程后老化試驗方法，其特征在于，所述步驟2還包括向所述存儲器進行最高5.5V供電。
5.根據權利要求1所述的一種抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器編程后老化試驗方法，其特征在于，所述第一溫度為150℃。
6.根據權利要求1所述的一種抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器編程后老化試驗方法，其特征在于，所述第二溫度為125℃。
7.一種抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器編程后老化試驗裝置，其特征在于，包括：溫控箱、信號控制器、計算機；
所述溫控箱用于：
響應所述信號控制器的控制將編程后的抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器進行第一溫度烘焙，所述第一溫度為140～150℃，持續至少64小時后調整溫度至第二溫度，持續至少160小時進行動態老化，所述第二溫度為100～125℃；
所述信號控制器用于：
控制所述溫控箱的溫度調節和持續時間，和
自所述計算機獲取激勵信號并在所述動態老化的過程中發送至所述存儲器，并采集所述存儲器響應所述激勵信號獲得的信號處理數據；
所述計算機用于：
向所述信號控制器發送所述激勵信號，和
根據預存的校驗數據對所述信號處理數據進行校驗，所述校驗數據通過所述存儲器內編輯的程序運行所述激勵信號而獲得。
8.根據權利要求7所述的一種抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器編程后老化試驗裝置，其特征在于，所述計算機還用于：根據所述校驗的結果篩選獲得功能正常的存儲器。
9.根據權利要求7所述的一種抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器編程后老化試驗裝置，其特征在于，還包括直流穩壓電源；
所述直流穩壓電源用于：向所述信號控制器進行供電，和響應所述信號控制器的控制在所述動態老化過程中向所述存儲器進行最高為5.5V的供電；
所述信號控制器還用于在所述動態老化過程中控制所述直流穩壓電源連通所述存儲器。
10.根據權利要求7所述的一種抗輻照柵氧擊穿型PROM存儲器編程后老化試驗裝置，其特征在于，所述溫控箱內還設置有防靜電耐高溫的芯片安裝板，所述存儲器通過所述芯片安裝板安裝于所述溫控箱內并與所述信號控制器電氣連接。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海航天測控通信研究所，未經上海航天測控通信研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201611041190.7/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
