[發明專利]一種制造N溝道增強型MOS晶體管器件的方法

在審

• 申請號: 201611038091.3
• 申請日: 2016-11-23
• 公開（公告）號: CN106784002A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 王漢清
• 申請（專利權）人: 南通沃特光電科技有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種制造N溝道增強型MOS晶體管器件的方法，包括：

（1）提供絕緣體上硅（SOI），所述絕緣體上硅為P型硅且具有背離掩埋氧化層的表面；

（2）在所述表面刻蝕出剖面為直角三角形或楔形的凹入部分；

（3）沉積柵極氧化物材料填充所述凹入部分并從所述表面突出一定的距離形成具有嵌入部分的柵極氧化物層，在柵極氧化物層上鍍上鋁柵極，柵極氧化物層和鋁柵極構成柵極結構；

（4）在柵極結構兩側分別形成漏區和源區，所述漏區與柵極結構的距離較所述源區與柵極結構的距離大，并且所述嵌入部分的嵌入深度由漏區向源區依次遞減。

2.根據權利要求1所述的制造N溝道增強型MOS晶體管器件的方法，其特征在于，在步驟（2）中通過覆蓋第一蝕刻掩膜，并進行開口以蝕刻出所述凹入部分。

3.根據權利要求1所述的制造N溝道增強型MOS晶體管器件的方法，其特征在于，在所述N溝道增強型MOS晶體管器件工作時，所述絕緣體上硅具有由所述柵極氧化層的嵌入部分、漏區和溝道圍成一不導電的盲區。

4.根據權利要求1所述的制造N溝道增強型MOS晶體管器件的方法，其特征在于，在所述N溝道增強型MOS晶體管器件工作時，N型溝道的寬度大致相等。

5.根據權利要求1所述的制造N溝道增強型MOS晶體管器件的方法，其特征在于，在步驟（4）中，通過離子注入形成的N型漏區和N型源區。

6.根據權利要求5所述的制造N溝道增強型MOS晶體管器件的方法，其特征在于，通過第二蝕刻掩膜進行離子注入。