[發(fā)明專利]數(shù)據(jù)寫入方法、存儲器控制電路單元與存儲器存儲裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611035052.8 | 申請日: | 2016-11-23 |
| 公開(公告)號: | CN108091364B | 公開(公告)日: | 2020-08-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 林緯;許祐誠;陳思瑋 | 申請(專利權(quán))人: | 群聯(lián)電子股份有限公司 |
| 主分類號: | G11C16/10 | 分類號: | G11C16/10;G11C16/14 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 馬雯雯;臧建明 |
| 地址: | 中國臺灣*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 數(shù)據(jù) 寫入 方法 存儲器 控制電路 單元 存儲 裝置 | ||
1.一種數(shù)據(jù)寫入方法,用于可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊,所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊具有多個實(shí)體抹除單元,所述多個實(shí)體抹除單元之中的每一個實(shí)體抹除單元具有多個實(shí)體編程單元組,所述多個實(shí)體編程單元組之中的每一個實(shí)體編程單元組具有多個實(shí)體編程單元,所述多個實(shí)體編程單元組之中的每一個實(shí)體編程單元組是由多個存儲單元所形成,所述多個存儲單元分別被編程為多個存儲狀態(tài)的其中一個,所述數(shù)據(jù)寫入方法包括:
接收至少一筆數(shù)據(jù);
排列所述至少一筆數(shù)據(jù)以產(chǎn)生第一數(shù)據(jù)串與第二數(shù)據(jù)串;
執(zhí)行編碼操作以編碼所述第一數(shù)據(jù)串和所述第二數(shù)據(jù)串以產(chǎn)生第三數(shù)據(jù)串;以及
下達(dá)編程指令序列以將所述第一數(shù)據(jù)串、所述第二數(shù)據(jù)串與所述第三數(shù)據(jù)串分別地寫入至所述多個實(shí)體編程單元組之中的第一實(shí)體編程組的第一實(shí)體編程單元、第二實(shí)體編程單元與第三實(shí)體編程單元,
其中所述多個存儲單元根據(jù)所述編碼操作僅會被編程成所述多個存儲狀態(tài)之中的部分存儲狀態(tài)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)寫入方法,其中由小到大排列的第四預(yù)設(shè)讀取電壓、第二預(yù)設(shè)讀取電壓、第五預(yù)設(shè)讀取電壓、第一預(yù)設(shè)讀取電壓、第六預(yù)設(shè)讀取電壓、第三預(yù)設(shè)讀取電壓與第七預(yù)設(shè)讀取電壓會將所述多個存儲單元的每一個存儲單元的存儲狀態(tài)區(qū)分為第一存儲狀態(tài)、第二存儲狀態(tài)、第三存儲狀態(tài)、第四存儲狀態(tài)、第五存儲狀態(tài)、第六存儲狀態(tài)、第七存儲狀態(tài)或第八存儲狀態(tài),
在下達(dá)所述編程指令以將所述第一數(shù)據(jù)串、所述第二數(shù)據(jù)串與所述第三數(shù)據(jù)串分別地寫入至所述多個實(shí)體編程單元組之中的所述第一實(shí)體編程組的所述第一實(shí)體編程單元、所述第二實(shí)體編程單元與所述第三實(shí)體編程單元之后,形成所述第一實(shí)體編程組的每一存儲單元的存儲狀態(tài)為所述第一存儲狀態(tài)、所述第三存儲狀態(tài)、所述第五存儲狀態(tài)與所述第七存儲狀態(tài)的其中之一。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)寫入方法,其中上述編碼所述第一數(shù)據(jù)串和所述第二數(shù)據(jù)串以產(chǎn)生所述第三數(shù)據(jù)串的步驟包括:
對所述第一數(shù)據(jù)串和所述第二數(shù)據(jù)串執(zhí)行異或運(yùn)算以產(chǎn)生所述第三數(shù)據(jù)串。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)寫入方法,其中所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊為三維三階存儲單元與非型閃存存儲器,所述第一實(shí)體編程單元為下實(shí)體編程單元、所述第二實(shí)體編程單元為上實(shí)體編程單元并且所述第三實(shí)體編程單元為中實(shí)體編程單元。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)寫入方法,其中所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊為三維三階存儲單元與非型閃存存儲器,所述第一實(shí)體編程單元為下實(shí)體編程單元、所述第二實(shí)體編程單元為中實(shí)體編程單元并且所述第三實(shí)體編程單元為上實(shí)體編程單元。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)寫入方法,其中所述第一數(shù)據(jù)串的長度等于所述第二數(shù)據(jù)串的長度并且所述第三數(shù)據(jù)串的長度等于所述第一數(shù)據(jù)串的長度。
7.一種存儲器控制電路單元,包括:
主機(jī)接口,用以電性連接至主機(jī)系統(tǒng);
存儲器接口,用以電性連接至可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊,其中所述可復(fù)寫式非易失性存儲器模塊具有多個實(shí)體抹除單元,所述多個實(shí)體抹除單元之中的每一個實(shí)體抹除單元具有多個實(shí)體編程單元組,所述多個實(shí)體編程單元組之中的每一個實(shí)體編程單元組具有多個實(shí)體編程單元,所述多個實(shí)體編程單元組之中的每一個實(shí)體編程單元組是由多個存儲單元所形成,且所述多個存儲單元被編程為多個存儲狀態(tài)的其中一個;以及
存儲器管理電路,電性連接至所述主機(jī)接口與所述存儲器接口,其中所述存儲器管理電路用以接收至少一筆數(shù)據(jù),并且排列所述至少一筆數(shù)據(jù)以產(chǎn)生第一數(shù)據(jù)串與第二數(shù)據(jù)串,
其中所述存儲器管理電路還用以執(zhí)行編碼操作以編碼所述第一數(shù)據(jù)串和所述第二數(shù)據(jù)串以產(chǎn)生第三數(shù)據(jù)串,
其中所述存儲器管理電路還用以下達(dá)編程指令序列以將所述第一數(shù)據(jù)串、所述第二數(shù)據(jù)串與所述第三數(shù)據(jù)串分別地寫入至所述多個實(shí)體編程單元組之中的第一實(shí)體編程組的第一實(shí)體編程單元、第二實(shí)體編程單元與第三實(shí)體編程單元,
其中所述多個存儲單元根據(jù)所述編碼操作僅會被編程成所述多個存儲狀態(tài)之中的部分存儲狀態(tài)。
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