[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201611032654.8
• 申請日: 2016-11-18
• 公開（公告）號: CN107564887A
• 公開（公告）日: 2018-01-09
• 發明（設計）人: 王青杉;李順益
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司32243
• 代理人: 顧伯興

技術領域

本發明實施例涉及一種半導體裝置。

背景技術

半導體集成電路(IC)產業已經歷快速成長。在IC演進過程中，功能密度(每晶片區域的互連器件的數目)已大體增加，同時幾何圖形大小(即，可使用制造過程產生的最小組件(或線路))已減少。除提供優勢以外，此縮小處理已增加處理以及制作IC的復雜度。

發明內容

根據本發明的一些實施例，一種半導體裝置包含層間介電結構與層間介電結構上的互連層。層間介電結構包含：第一接觸件，延伸穿過層間介電結構，電連接到位于層間介電結構下面的樓板結構中的對應第一組件；至少一個第二組件，位于層間介電結構內且與層間介電結構的表面在垂直于層間介電結構的平面的方向上間隔一定距離，所述距離小于層間介電結構的厚度；以及第二接觸件，直接接觸至少一個第二組件的對應第一區域。互連層包含：第一金屬化片段，直接接觸第一接觸件中的對應者；以及第二金屬化片段，位于至少一個第二組件的第二區域上方，第二金屬化片段的寬度小于第一金屬化片段的寬度。

附圖說明

當結合附圖閱讀時，從以下詳細描述最好地理解本發明的各方面。應注意，根據行業中的標準實踐，各種特征未按比例繪制。此外，為了論述清楚起見，可以任意增大或減小各種特征的尺寸。

圖1A為對應于制作根據本發明的至少一個實施例的半導體裝置中的階段的中間結構的橫截面；

圖1B為根據本發明的至少一個實施例的圖1A的橫截面的一部分的放大視圖；

圖1C為根據本發明的至少一個實施例的圖1A到圖1B(其中圖1A為沿圖1C中的截面線IA-IA截得的橫截面)的半導體裝置的平面視圖；

圖2A為對應于制作根據本發明的至少一個實施例的半導體裝置中的階段的中間結構的橫截面；

圖2B為根據本發明的至少一個實施例的圖2A的一部分的橫截面的一部分的放大視圖；

圖2C為根據本發明的至少一個實施例的圖2A到圖2B(其中圖2A為沿圖2C中的截面線IIA-IIA截得的橫截面)的半導體裝置的平面視圖；

圖3A到圖3F為根據本發明的至少一個實施例的各個階段處的半導體裝置的互連層的橫截面；

圖4為根據本發明的至少一個實施例的制作半導體裝置的互連層的方法的流程圖；

圖5為根據本發明的至少一個實施例的制作半導體裝置的互連層的方法的流程圖。

具體實施方式

以下揭示內容提供用于實施所提供的標的物的不同特征的許多不同實施例或實例。下文描述組件以及布置的具體實例以簡化本公開內容。當然，這些組件和布置僅為實例且并不意欲為限制性的。舉例來說，在以下描述中，第一特征在第二特征上方或第二特征上的形成可包含第一特征和第二特征直接接觸地形成的實施例，并且還可包含額外特征可在第一特征與第二特征之間形成使得第一特征和第二特征可不直接接觸的實施例。另外，本發明可以在各種實例中重復參考標號和/或字母。此重復是出于簡單性和清晰性的目的，且本身并不指定所論述的各種實施例和/或配置之間的關系。

此外，為易于描述，空間相對術語(例如“在…下方”、“在…以下”、“低于”、“在…上方”、“上部”及類似者)可用于本文中以描述如圖式中所說明的一個元件或特征與其它或構件的關系。除圖式中所描繪的定向之外，空間相對術語意圖涵蓋在使用或操作中的裝置的不同定向。設備可以其它方式定向(旋轉90度或處于其它定向)，且本文中所使用的空間相關描述詞同樣可以相應地進行解釋。術語“掩模”、“光刻掩模”、光掩模以及光罩用于指同一項目。

本發明涉及使用金屬線路形成技術以控制給定互連層的線路片段的各種厚度(在垂直/堆疊方向上)，以便降低所選區域中的介電擊穿的風險。更確切地說，在半導體裝置的區域包含在垂直/堆疊方向上與未電連接到導電結構的一個或大于一個覆蓋和/或下層金屬線路片段分離的傳導結構的情況下，本發明大體上涉及使用金屬線路形成技術以用多個對應地較薄以及更較的線段更換給定的較粗以及較寬的線路片段，以便增大垂直分離距離以及從而降低介電擊穿的風險。

圖1A為對應于制作根據本發明的至少一個實施例的半導體裝置中的階段的中間結構100的橫截面。

圖1B為根據本發明的至少一個實施例的圖1A的橫截面的部分148的放大視圖。部分148的組件的描繪中的間斷通過鋸齒狀形狀150表示。