[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611032654.8 | 申請(qǐng)日： | 2016-11-18 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107564887A | 公開（公告）日： | 2018-01-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王青杉;李順益 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/528 | 分類號(hào)： | H01L23/528 |
| 代理公司： | 南京正聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司32243 | 代理人： | 顧伯興 |
| 地址： | 中國臺(tái)灣新竹科*** | 國省代碼： | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：
層間介電結(jié)構(gòu)，包含：
第一接觸件，延伸穿過所述層間介電結(jié)構(gòu)，電連接到對(duì)應(yīng)第一組件，所述第一組件位于所述層間介電結(jié)構(gòu)下面的樓板結(jié)構(gòu)中；
至少一個(gè)第二組件，所述至少一個(gè)第二組件位于所述層間介電結(jié)構(gòu)內(nèi)以及與所述層間介電結(jié)構(gòu)的表面在垂直于所述層間介電結(jié)構(gòu)的平面的方向上間隔一定距離，所述距離小于所述層間介電結(jié)構(gòu)的厚度；以及
第二接觸件，直接接觸所述至少一個(gè)第二組件的對(duì)應(yīng)第一區(qū)域；以及
互連層，在所述層間介電結(jié)構(gòu)上，包含：
第一金屬化片段，直接接觸所述第一接觸件中的對(duì)應(yīng)者；以及
第二金屬化片段，位于所述至少一個(gè)第二組件的第二區(qū)域上方，所述第二金屬化片段的寬度小于所述第一金屬化片段的寬度。
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