[發明專利]存儲器陣列的操作方法在審
| 申請號： | 201611032425.6 | 申請日： | 2016-11-15 |
| 公開（公告）號： | CN108074618A | 公開（公告）日： | 2018-05-25 |
| 發明（設計）人： | 吳冠緯;張耀文;楊怡箴 | 申請（專利權）人： | 旺宏電子股份有限公司 |
| 主分類號： | G11C16/34 | 分類號： | G11C16/34;G11C16/14 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 任巖 |
| 地址： | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 編程步驟 存儲單元 擦除 存儲器陣列 控制柵 柱狀通道 存儲層 編程 環繞柱 交錯處 柱狀 | ||
1.一種存儲器陣列的操作方法，包括：
一全部編程步驟，用以編程一NAND串行的所有多個存儲單元，其中該NAND串行包括：
一柱狀通道層；
一柱狀存儲層；及
多個控制柵，間隔環繞該柱狀存儲層，這些存儲單元系定義在該柱狀通道層與這些控制柵的交錯處；
一擦除步驟，用以擦除該NAND串行的所有這些存儲單元，且系在該全部編程步驟之后執行；及
一選擇編程步驟，用以編程該NAND串行的這些存儲單元的一部分，且系在該擦除步驟之后執行。
2.根據權利要求1所述的存儲器陣列的操作方法，其中該擦除步驟系在該全部編程步驟之后直接進行。
3.根據權利要求1所述的存儲器陣列的操作方法，包括至少兩次該擦除步驟，其中系在執行一次該全部編程步驟之后執行該至少兩次該擦除步驟。
4.根據權利要求1所述的存儲器陣列的操作方法，更包括另一擦除步驟，用以擦除該NAND串行的所有這些存儲單元，其中該選擇編程步驟系在該擦除步驟與該另一擦除步驟之間。
5.根據權利要求1所述的存儲器陣列的操作方法，其中該存儲器陣列包括多個該NAND串行，該存儲器陣列的操作方法包括對這些NAND串行的所有這些存儲單元同時進行該全部編程步驟，并然后同時進行該擦除步驟。
6.根據權利要求1所述的存儲器陣列的操作方法，其中該全部編程步驟及/或該選擇編程步驟包括提供一編程偏壓至這些控制柵，該擦除步驟包括提供一擦除偏壓至這些控制柵，該編程偏壓為一正偏壓，該擦除偏壓為一負偏壓。
7.根據權利要求1所述的存儲器陣列的操作方法，更包括另一全部編程步驟，用以編程該NAND串行的所有這些存儲單元，且系在該選擇編程步驟之后執行。
8.根據權利要求1所述的存儲器陣列的操作方法，其中該柱狀存儲層包括一電荷捕捉膜，該全部編程步驟及/或該選擇編程步驟系將電子注入該電荷捕捉膜，該擦除步驟系將空穴注入該電荷捕捉膜。
9.根據權利要求1所述的存儲器陣列的操作方法，其中該柱狀存儲層是一氧化物-氮化物-氧化物(ONO)結構或一氧化物-氮化物-氧化物-氮化物-氧化物(ONONO)結構，由該NAND串行的所有這些個存儲單元共享。
10.一種存儲器陣列的操作方法，包括：
對相鄰的至少三個存儲單元進行一全部編程步驟，其中相鄰的該至少三個存儲單元系共享一存儲層；
在該全部編程步驟之后，對相鄰的該至少三個存儲單元進行一擦除步驟；以及
在該擦除步驟之后，僅對相鄰的該至少三個存儲單元的一部分進行一選擇編程步驟。
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