[發(fā)明專利]電磁波屏蔽及散熱復(fù)合片用石墨片、包括其的電磁波屏蔽及散熱復(fù)合片及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611030647.4 | 申請(qǐng)日: | 2016-11-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108074821B | 公開(公告)日: | 2022-02-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 樸正日;申東根;樸相奭;鄭具桓;許銀光 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 利諾士尖端材料有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/48 | 分類號(hào): | H01L21/48;H01L23/373;H01L23/552 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 呂琳;宋東穎 |
| 地址: | 韓國忠*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電磁波 屏蔽 散熱 復(fù)合 石墨 包括 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明涉及層間粘結(jié)力優(yōu)秀的石墨片、包括其的電磁波屏蔽及散熱復(fù)合片及其制備方法,更涉及電磁波屏蔽及散熱復(fù)合片及制備其的方法,通過將包括具有特定離型度的截面形狀的貫通孔的石墨片導(dǎo)入于熱擴(kuò)散層,也可在第二電磁波屏蔽層與石墨片之間無追加的粘結(jié)劑層的情況下,使電磁波屏蔽及散熱復(fù)合片具有優(yōu)秀的粘結(jié)性,實(shí)現(xiàn)薄型化,并具有高的熱擴(kuò)散能力、電磁波屏蔽性及耐熱沖擊性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電磁波屏蔽及散熱復(fù)合片用石墨片及包括其的復(fù)合片,更詳細(xì)地,涉及可提供熱擴(kuò)散率、相對(duì)于熱沖擊的耐久性及電磁波屏蔽性優(yōu)秀且層間粘結(jié)力優(yōu)秀的薄型化的電磁波屏蔽及散熱復(fù)合片的石墨片、適用其的復(fù)合片及制備其的方法。
背景技術(shù)
最近,隨著電氣設(shè)備、電子設(shè)備的高性能化、輕薄短小化,對(duì)于可對(duì)從內(nèi)置于其的半導(dǎo)體部件、發(fā)光部件等熱產(chǎn)生源中產(chǎn)生的熱進(jìn)行散熱的散熱片的需求持續(xù)增加,且需要對(duì)于電磁波屏蔽的復(fù)合功能化。
通常,散熱片使用銅箔、銅箔/石墨層疊體、石墨片等,銅箔雖然均具有散熱特性和電磁波屏蔽特性,但當(dāng)厚度變厚時(shí),柔韌性變得不足,無法向水平方向?qū)κM(jìn)行導(dǎo)熱,且密度高,從而在輕量化上受限制。并且,當(dāng)其厚度大于約50μm時(shí),柔韌性不足,從而在適用為復(fù)雜的形狀的散熱片方面受限制。
并且,作為用于阻斷電磁波的電磁波屏蔽片,廣泛利用由各種材質(zhì)形成的商用產(chǎn)品,但就以往的電磁波屏蔽片而言,其導(dǎo)熱性低,從而無法充分取得散熱效果,且正在開發(fā)適用散熱及電磁波屏蔽功能的多種薄片。作為一例,在韓國授權(quán)專利10-1457914號(hào)中公開了在由金屬箔層和熱擴(kuò)散層構(gòu)成的熱擴(kuò)散片的一面或兩面層疊有電磁波吸收層的、具有電磁波吸收層的熱擴(kuò)散片,但需要具有用于使熱擴(kuò)散片和電磁波吸收層進(jìn)行接合的額外的粘結(jié)劑層,而這樣會(huì)不利于薄型化,導(dǎo)致存在如下問題:在適用于作為小型電子設(shè)備的智能手機(jī)等的便攜式電子設(shè)備方面受技術(shù)限制,且柔韌性大大降低。
最近,便攜式電子設(shè)備需要柔性(flexible),且正在薄型化,并且,當(dāng)前,對(duì)于作為用于其的必要部件的散熱片及電磁波屏蔽片的柔性及薄型化要求也正在增大。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
美國公開專利號(hào):2007-0246208號(hào)(公開日:2007年10月25日)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明用于解決如上所述的問題,本發(fā)明提供如下電磁波屏蔽及散熱復(fù)合片及制備其的方法,可將具有特定形態(tài)的貫通孔的石墨片導(dǎo)入于熱擴(kuò)散層,來大大提高與接合于熱擴(kuò)散層的層的粘結(jié)力,當(dāng)復(fù)合片彎曲時(shí),防止與熱擴(kuò)散層進(jìn)行粘結(jié)的其他層的剝離,從而確保復(fù)合片的柔韌性及薄片化。
用于解決上述問題的本發(fā)明的層間粘結(jié)力優(yōu)秀的石墨片為包括多個(gè)貫通孔的石墨片。
作為本發(fā)明的優(yōu)選一實(shí)施例,上述石墨片的貫通孔可呈具有滿足以下方程式1的離型度的截面形狀:
方程式1
0.500≤離型度≤1.300。
在上述方程式1中,離型度為(形狀的內(nèi)部面積/形狀的周長)1/2。
作為本發(fā)明的優(yōu)選一實(shí)施例,上述貫通孔的截面形狀可包括選自圓形、橢圓形、+形、×形、┣形、┏形、Ι形及線形中的一種以上。
作為本發(fā)明的優(yōu)選一實(shí)施例,當(dāng)上述貫通孔的截面形狀呈圓形時(shí),平均直徑可以為1~8mm,上述橢圓形的內(nèi)切圓及外切圓的直徑比可以為1:2~1:10,上述+形的內(nèi)切圓及外切圓的直徑比可以為1:2~1:10。
作為本發(fā)明的優(yōu)選一實(shí)施例,上述石墨片的貫通孔的面積可以為上述石墨片的上部面總面積的2%~30%或下部面總面積的2%~30%,優(yōu)選地,可以為3.5%~15%。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





