[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其測試方法和集成電路芯片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611029937.7 | 申請日： | 2016-11-15 |
| 公開（公告）號： | CN107017233B | 公開（公告）日： | 2019-07-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 曾仁洲;蔡明甫;張子恒 | 申請（專利權(quán)）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/498 | 分類號： | H01L23/498;H01L23/525;H01L23/544;H01L27/02;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李偉 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體器件 及其 測試 方法 集成電路 芯片 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件，包括：
半導(dǎo)體襯底；
互連結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底上方；
第一導(dǎo)電焊盤，設(shè)置在所述互連結(jié)構(gòu)上方；
第二導(dǎo)電焊盤，設(shè)置在所述互連結(jié)構(gòu)上方并且與所述第一導(dǎo)電焊盤間隔開；
第三導(dǎo)電焊盤，設(shè)置在所述互連結(jié)構(gòu)上方并且與所述第一導(dǎo)電焊盤和所述第二導(dǎo)電焊盤間隔開；
第四導(dǎo)電焊盤，設(shè)置在所述互連結(jié)構(gòu)上方并且與所述第一導(dǎo)電焊盤、所述第二導(dǎo)電焊盤和所述第三導(dǎo)電焊盤間隔開；
第一靜電放電保護(hù)元件，電耦合在所述第一導(dǎo)電焊盤和所述第二導(dǎo)電焊盤之間；
第二靜電放電保護(hù)元件，電耦合在所述第三導(dǎo)電焊盤和所述第四導(dǎo)電焊盤之間；
第一被測器件(DUT)，電耦合在所述第一導(dǎo)電焊盤和所述第三導(dǎo)電焊盤之間；以及
第二被測器件，電耦合在所述第二導(dǎo)電焊盤和所述第四導(dǎo)電焊盤之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一導(dǎo)電焊盤、所述第一被測器件、所述第三導(dǎo)電焊盤、所述第二靜電放電保護(hù)元件、所述第四導(dǎo)電焊盤、所述第二被測器件、所述第二導(dǎo)電焊盤和所述第一靜電放電保護(hù)元件布置為封閉的電流環(huán)路。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件：
其中，所述第一被測器件是第一金屬1線；以及
其中，所述第二被測器件是第二金屬1線。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一金屬1線和所述第二金屬1線的每一個(gè)都具有第一電阻，并且所述第一靜電放電保護(hù)元件和所述第二靜電放電保護(hù)元件的每一個(gè)都具有小于所述第一電阻的第二電阻。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一靜電放電保護(hù)元件包括第一熔絲，并且所述第二靜電放電保護(hù)元件包括第二熔絲。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一靜電放電保護(hù)元件包括：
第一熔絲，耦合在所述第一導(dǎo)電焊盤和所述第二導(dǎo)電焊盤之間；
第一二極管，與所述第一熔絲串聯(lián)，所述第一二極管具有耦合至所述第一導(dǎo)電焊盤的陰極和耦合至所述第一熔絲的陽極；以及
第二二極管，與所述第一熔絲和所述第一二極管串聯(lián)，所述第二二極管具有耦合至所述第二導(dǎo)電焊盤的陰極和耦合至所述第一熔絲的陽極。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一被測器件包括：
金屬1線，與所述半導(dǎo)體襯底電隔離；以及
第一通孔和第二通孔，與所述金屬1線的上表面區(qū)域直接接觸；
其中，所述金屬1線在所述第一通孔和所述第二通孔之間布置的金屬1線的被測器件區(qū)域中具有第一寬度，并且其中，所述金屬1線向外變寬以具有位于所述第一通孔和所述第二通孔下方的第二寬度，所述第二寬度大于所述第一寬度。
8.一種測試半導(dǎo)體器件的方法，包括：
在所述半導(dǎo)體器件的制造或測試期間，使權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件經(jīng)受靜電放電(ESD)頻發(fā)環(huán)境；
在使所述半導(dǎo)體器件經(jīng)受所述靜電放電頻發(fā)環(huán)境之后，燒斷所述第一熔絲并且燒斷所述第二熔絲；以及
在燒斷所述第一熔絲和所述第二熔絲之后，通過對第一被測器件或?qū)Φ诙粶y器件施加電應(yīng)力來進(jìn)行電遷移測試。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，通過施加電應(yīng)力進(jìn)行所述電遷移測試包括：
跨所述第一導(dǎo)電焊盤和所述第三導(dǎo)電焊盤施加多個(gè)第一電流或偏壓以對所述第一被測器件施加電應(yīng)力；以及
評估所述第一被測器件以確定通過所述電應(yīng)力從所述第一被測器件去除的金屬的程度。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述第一被測器件對應(yīng)于第一金屬1線，并且所述第二被測器件對應(yīng)于第二金屬1線。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述第一金屬1線通過所述互連結(jié)構(gòu)中的一個(gè)或多個(gè)通孔電耦合至所述第一導(dǎo)電焊盤和所述第三導(dǎo)電焊盤。
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