[發明專利]形成納米線的方法

在審

• 申請號: 201611028061.4
• 申請日: 2016-11-18
• 公開（公告）號: CN106816360A
• 公開（公告）日: 2017-06-09
• 發明（設計）人: 楊育佳;布萊戴恩杜瑞茲;馬汀克里斯多福荷蘭
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;B82Y40/00
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006
• 代理人: 徐金國

技術領域

本揭露是關于一種半導體的制造方法，特別是形成納米特征的方法。

背景技術

電子行業已經經歷對更小及更快、同時能支援大量日益復雜及精密的功能的電子裝置的不斷增加的需求。因此，半導體行業中存在制造低成本、高效能以及低功率的集成電路(integrated circuit；IC)的持續趨勢。迄今為止，這些目標已大部分通過按比例縮小半導體IC尺寸(例如，最小特征尺寸)并由此提高生產效率及降低相關成本而得以實現。

此類按比例縮小亦增加處理及制造IC的復雜性，且為了實現此類進步，IC處理及制造亦需要有相似的發展。舉例而言，已引入三維晶體管(例如具有納米線的半導體裝置)來替代平面晶體管。盡管用于制造IC裝置的現有方法已大體適用于其意欲目的，但其并未在所有方面完全令人滿意。例如，期望在納米線形成方面有所改良。

發明內容

一種形成納米線的方法，包括：形成第一材料層于基板上，第一材料層具有界定第一開口的側壁，其中第一開口具有第一形狀；形成犧牲特征于第一開口內，其中犧牲特征具有第二形狀，此第二形狀不同于第一形狀，使得在犧牲特征的邊緣與第一材料層的側壁之間存在空腔；用第二材料層填充此空腔；移除犧牲特征以形成第二開口；用第三材料層填充第二開口；移除第二材料層以顯露此空腔；以及形成導電特征于此空腔內。

附圖說明

當結合附圖閱讀以下詳細描述時，本揭露的各種態樣將最易于理解。應注意的是，根據行業標準操作規程，各種特征結構可能并非按比例繪制。事實上，為了論述的清晰性，可以任意地增大或減小各種特征結構的尺寸。

圖1是根據本揭露的一或更多個態樣所提供的制造裝置或部分的方法的流程圖；

圖2是根據圖1的方法的態樣，為裝置200的一實施方式的橫截面圖；

圖3A、圖4A、圖4C、圖5A、圖5C、圖5D、圖6A、圖7A、圖8A、圖9A、圖10A、圖10C、圖10D及圖11A是根據圖1的方法的態樣，為裝置200的一實施方式的俯視圖；

圖3B、圖4B、圖4D、圖5B、圖6B、圖7B、圖8B、圖9B、圖10B及圖11B是根據圖1的方法的態樣，為沿線A-A截取的裝置200的一實施方式的橫截面圖，這些橫截面圖分別與圖3A、圖4A、圖4C、圖5A、圖6A、圖7A、圖8A、圖9A、圖10A及圖11A的俯視圖對應。

具體實施方式

以下揭露提供了許多不同實施例或實例方式來實施所提供標的的不同特征。下文描述部件及排列的特定實例以簡化本揭露。當然，這些例子僅為示例并無意加以限制。舉例而言，以下描述中在第二特征上方或第二特征上形成第一特征可包括第一特征及第二特征形成為直接接觸的實施例，且亦可包括可在第一特征與第二特征之間形成額外特征以使得第一特征及第二特征可不直接接觸的實施例。另外，本揭露可在各實例中重復元件符號及/或字母。此重復是出于簡明性及清晰的目的，且本身并不指示所論述的各實施例及/或配置之間的關系。

進一步地，為了便于描述，本文可使用空間相對性術語(例如“之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”及類似者)來描述諸圖中所圖示的一個元件或特征與另一元件(或多個元件)或特征(或多個特征)的關系。除了諸圖所描繪的定向外，空間相對性術語意欲包含使用或操作中裝置的不同定向。設備可經其他方式定向(旋轉90度或處于其他定向)且因此本文所使用的空間相對性描述詞可相應地按此解讀。