[發明專利]形成納米線的方法在審
| 申請號： | 201611028061.4 | 申請日： | 2016-11-18 |
| 公開（公告）號： | CN106816360A | 公開（公告）日： | 2017-06-09 |
| 發明（設計）人： | 楊育佳;布萊戴恩杜瑞茲;馬汀克里斯多福荷蘭 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 形成 納米 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種形成納米線的方法，其特征在于包括：
形成一第一材料層于一基板上，該第一材料層具有界定一第一開口的一側壁，其中該第一開口具有一第一形狀；
形成一犧牲特征于該第一開口內，其中該犧牲特征具有一第二形狀，該第二形狀不同于該第一形狀，使得在該犧牲特征的一邊緣與該第一材料層的該側壁之間存在一空腔；
用一第二材料層填充該空腔；
移除該犧牲特征以形成一第二開口；
用一第三材料層填充該第二開口；
移除該第二材料層以顯露該空腔；以及
形成一導電特征于該空腔內。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
