[發(fā)明專利]基于Ge襯底的La基介質(zhì)材料高K金屬柵結(jié)構(gòu)及制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611024689.7 | 申請日： | 2016-11-16 |
| 公開（公告）號： | CN106531785A | 公開（公告）日： | 2017-03-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉紅俠;王永特;趙璐;汪星;費(fèi)晨曦;馮興堯 | 申請（專利權(quán)）人： | 西安電子科技大學(xué) |
| 主分類號： | H01L29/49 | 分類號： | H01L29/49;H01L29/51;H01L21/28 |
| 代理公司： | 陜西電子工業(yè)專利中心61205 | 代理人： | 王品華,朱紅星 |
| 地址： | 710071 陜*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基于 ge 襯底 la 介質(zhì) 材料 金屬 結(jié)構(gòu) 制備 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
