[發明專利]顯示裝置用陣列基板的制造方法和金屬膜用蝕刻液組合物

在審

• 申請號: 201611020850.3
• 申請日: 2016-11-15
• 公開（公告）號: CN106997844A
• 公開（公告）日: 2017-08-01
• 發明（設計）人: 梁圭亨;權五柄;金煉卓
• 申請（專利權）人: 東友精細化工有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;C23F1/18
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司11243
• 代理人: 鐘晶,鐘海勝

技術領域

本發明涉及顯示裝置用陣列基板的制造方法和金屬膜用蝕刻液組合物。

背景技術

半導體裝置中在基板上形成金屬配線的過程通常包括利用如下工序的步驟：利用濺射等的金屬膜形成工序，利用光致抗蝕劑涂布、曝光和顯影的在選擇性區域形成光致抗蝕劑的工序及蝕刻工序，并且包括個別單元工序前后的清洗工序等。這樣的蝕刻工序是指，將光致抗蝕劑作為掩模，在選擇性區域留下金屬膜的工序，通常使用利用等離子體等的干式蝕刻或利用蝕刻液組合物的濕式蝕刻。

以往，作為柵電極和源電極/漏電極用配線材料，使用層疊了鋁或其合金和其他金屬的金屬膜。鋁雖然價格低廉且電阻低，但耐化學性不佳，在后續工序中會誘發如下液晶面板的運行不良：因突起(hillock)等不良與其他導電層引發短路(short)現象，或者因與氧化物層的接觸而形成絕緣層等。

考慮到這樣的問題，作為柵電極和源電極/漏電極用配線材料，提出了銅系金屬膜與鉬膜、銅膜與鉬合金膜、銅合金膜與鉬合金膜等銅系金屬膜的多層膜(韓國公開專利10-2007-0055259號)。然而，為了蝕刻這樣的銅系金屬膜的多層膜，存在不得不使用彼此不同的兩種蝕刻液來蝕刻各金屬膜的缺點。

此外，對于以往蝕刻液的情況而言，隨著蝕刻工序的進行，錐角和側蝕變化加大，會在后續工序中引發問題，并且還存在因蝕刻液內銅離子的急劇增加而需要經常更換新的蝕刻液的經濟方面的問題。

現有技術問題

專利文獻

專利文獻1：韓國公開專利10-2007-0055259號

發明內容

所要解決的課題

為了解決上述以往技術的問題，提供顯示裝置用陣列基板的制造方法、由上述制造方法制造的顯示裝置用陣列基板和金屬膜用蝕刻液組合物。

解決課題的方法

本發明提供一種顯示裝置用陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：

a)在基板上形成柵極配線的步驟；

b)在包含上述柵極配線的基板上形成柵極絕緣層的步驟；

c)在上述柵極絕緣層上形成半導體層的步驟；

d)在上述半導體層上形成源電極和漏電極的步驟；及

e)形成與上述漏電極連接的像素電極的步驟，

上述a)步驟包括：在基板上形成銅系金屬膜，并用蝕刻液組合物蝕刻上述銅系金屬膜而形成柵極配線的步驟，上述d)步驟包括：在半導體層上形成銅系金屬膜，并用蝕刻液組合物蝕刻上述銅系金屬膜而形成源電極和漏電極的步驟，

上述蝕刻液組合物包含：(A)過氧化氫、(B)含氟化合物、(C)唑類化合物、(D)在一個分子內具有氮原子和羧基的水溶性化合物、(E)偏磷酸鹽(metaphosphate)、(F)多元醇型表面活性劑和(G)去離子水。

在一個實施方式中，上述蝕刻液組合物以組合物總重量為基準可以包含：(A)過氧化氫15～25重量％、(B)含氟化合物0.01～3重量％、(C)唑類化合物0.1～2重量％、(D)在一個分子內具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.5～5重量％、(E)偏磷酸鹽0.1～5重量％、(F)多元醇型表面活性劑1.0～5重量％和(G)余量的去離子水。

在另一個實施方式中，顯示裝置用陣列基板可以為薄膜晶體管(TFT)陣列基板。

此外，本發明提供由上述制造方法制造的顯示裝置用陣列基板。

此外，本發明提供一種金屬膜用蝕刻液組合物，其特征在于，包含：(A)過氧化氫、(B)含氟化合物、(C)唑類化合物、(D)在一個分子內具有氮原子和羧基的水溶性化合物、(E)偏磷酸鹽、F)多元醇型表面活性劑和(G)去離子水。

在一個實施方式中，上述金屬膜用蝕刻液組合物以組合物總重量為基準可以包含：(A)過氧化氫15～25重量％、(B)含氟化合物0.01～3重量％、(C)唑類化合物0.1～2重量％、(D)在一個分子內具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.5～5重量％、(E)偏磷酸鹽0.1～5重量％、(F)多元醇型表面活性劑1.0～5重量％和(G)余量的去離子水。

在另一個實施方式中，上述金屬膜可以為銅系金屬膜。

此外，在另一個實施方式中，上述銅系金屬膜是銅或銅合金的單層膜；或包含選自銅膜和銅合金膜中的一種以上膜與選自鉬膜和鉬合金膜中的一種以上膜的多層膜。

發明效果

在用本發明的蝕刻液組合物蝕刻金屬膜的情況下，能夠將銅系金屬薄膜與厚膜一并蝕刻，且能夠使隨處理張數增加的側蝕和錐角變化量最小化。

具體實施方式