[發明專利]顯示裝置用陣列基板的制造方法和金屬膜用蝕刻液組合物

在審

• 申請號: 201611020850.3
• 申請日: 2016-11-15
• 公開（公告）號: CN106997844A
• 公開（公告）日: 2017-08-01
• 發明（設計）人: 梁圭亨;權五柄;金煉卓
• 申請（專利權）人: 東友精細化工有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;C23F1/18
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司11243
• 代理人: 鐘晶,鐘海勝

1.一種顯示裝置用陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：

a)在基板上形成柵極配線的步驟；

b)在包含所述柵極配線的基板上形成柵極絕緣層的步驟；

c)在所述柵極絕緣層上形成半導體層的步驟；

d)在所述半導體層上形成源電極和漏電極的步驟；及

e)形成與所述漏電極連接的像素電極的步驟，

所述a)步驟包括：在基板上形成銅系金屬膜，并用蝕刻液組合物蝕刻所述銅系金屬膜而形成柵極配線的步驟，所述d)步驟包括：在半導體層上形成銅系金屬膜，并用蝕刻液組合物蝕刻所述銅系金屬膜而形成源電極和漏電極的步驟，

所述蝕刻液組合物包含：(A)過氧化氫、(B)含氟化合物、(C)唑類化合物、(D)在一個分子內具有氮原子和羧基的水溶性化合物、(E)偏磷酸鹽、(F)多元醇型表面活性劑和(G)去離子水。

2.根據權利要求1所述的顯示裝置用陣列基板的制造方法，其特征在于，所述蝕刻液組合物以組合物總重量為基準包含：(A)過氧化氫15～25重量％、(B)含氟化合物0.01～3重量％、(C)唑類化合物0.1～2重量％、(D)在一個分子內具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.5～5重量％、(E)偏磷酸鹽0.1～5重量％、(F)多元醇型表面活性劑1.0～5重量％和(G)余量的去離子水。

3.根據權利要求1所述的顯示裝置用陣列基板的制造方法，其特征在于，所述顯示裝置用陣列基板為薄膜晶體管陣列基板。

4.一種金屬膜用蝕刻液組合物，其特征在于，包含：(A)過氧化氫、(B)含氟化合物、(C)唑類化合物、(D)在一個分子內具有氮原子和羧基的水溶性化合物、(E)偏磷酸鹽、F)多元醇型表面活性劑和(G)去離子水。

5.根據權利要求4所述的金屬膜用蝕刻液組合物，其特征在于，所述金屬膜用蝕刻液組合物以組合物總重量為基準包含：(A)過氧化氫15～25重量％、(B)含氟化合物0.01～3重量％、(C)唑類化合物0.1～2重量％、(D)在一個分子內具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.5～5重量％、(E)偏磷酸鹽0.1～5重量％、(F)多元醇型表面活性劑1.0～5重量％和(G)余量的去離子水。

6.根據權利要求4所述的金屬膜用蝕刻液組合物，其特征在于，所述含氟化合物是選自由氟化氫、氟化鈉、氟化銨、氟硼酸銨、氟化氫銨、氟化鉀、氟化氫鉀、氟化鋁和四氟硼酸組成的組中的一種以上。

7.根據權利要求4所述的金屬膜用蝕刻液組合物，其特征在于，所述唑類化合物是選自由吡咯系化合物、吡唑系化合物、咪唑系化合物、三唑系化合物、四唑系化合物、五唑系化合物、唑系化合物、異唑系化合物、噻唑系化合物和異噻唑系化合物組成的組中的一種以上。

8.根據權利要求4所述的金屬膜用蝕刻液組合物，其特征在于，所述在一個分子內具有氮原子和羧基的水溶性化合物是選自由丙氨酸、氨基丁酸、谷氨酸、甘氨酸、亞氨基二乙酸、氨三乙酸和肌氨酸組成的組中的一種以上。

9.根據權利要求4所述的金屬膜用蝕刻液組合物，其特征在于，所述偏磷酸鹽是選自由三偏磷酸鈉、四偏磷酸鈉和六偏磷酸鈉組成的組中的一種以上。

10.根據權利要求4所述的金屬膜用蝕刻液組合物，其特征在于，所述多元醇型表面活性劑是選自由甘油、三乙二醇和聚乙二醇組成的組中的一種以上。

11.根據權利要求4所述的金屬膜用蝕刻液組合物，其特征在于，所述金屬膜為銅系金屬膜。

12.根據權利要求11所述的金屬膜用蝕刻液組合物，其特征在于，所述銅系金屬膜是銅或銅合金的單層膜，或包含選自銅膜和銅合金膜中的一種以上膜與選自鉬膜和鉬合金膜中的一種以上膜的多層膜。