[發明專利]半導體裝置及采用該半導體裝置的交流發電機

有效

• 申請號: 201611020685.1
• 申請日: 2016-11-14
• 公開（公告）號: CN106711137B
• 公開（公告）日: 2019-03-08
• 發明（設計）人: 河野賢哉;石丸哲也;栗田信一;寺川武士
• 申請（專利權）人: 株式會社日立功率半導體
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H02M7/00
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 丁文蘊;金成哲

提供一種低成本且無需復雜的制造工序即可簡便地實現的半導體裝置、及采用了該半導體裝置的交流發電機。該半導體裝置具備：具有臺座(24)的基極(21)、具有導線端板(25)的導線(22)、電子電路體(100)，在基極與導線之間具有電子電路體，臺座與電子電路體的第一面連接，導線端板與電子電路體的第二面連接，電子電路體包含具有開關元件的晶體管電路芯片(11)、控制開關元件的控制電路芯片(12)、漏極框架(14)、源極框架(15)，并構成為一體地被樹脂(16)覆蓋，漏極框架及源極框架的任意一方與基極連接，源極框架及漏極框架的任意另一方與導線連接。

技術領域

本發明涉及半導體裝置及采用該半導體裝置的交流發電機。

背景技術

作為本技術領域的背景技術，有專利文獻1～專利文獻3。

在專利文獻1中公開了一種半導體裝置的技術：“[課題]提供一種能夠簡便地裝配且損失小的半導體裝置、交流發電機及電力變換裝置。[解決方案]本發明的半導體裝置S1具有第一外部電極101，該第一外部電極101具有在交流發電機Ot上裝設的俯視呈圓形的外周部101s，在第一外部電極101上搭載MOSFET芯片103、輸入MOSFET芯片103的第一主端子103d和第二主端子103s的電壓或電流并基于其生成向MOSFET芯片103的柵極103g供給的控制信號的控制電路104、向控制電路104供給電源的電容器105，相對于MOSFET芯片103在上述第一外部電極的相反側具有第二外部電極107，MOSFET芯片103的第一主端子103d和第一外部電極101、以及、MOSFET芯片103的第二主端子103s和第二外部電極107電連接。(參照[摘要])”。

另外，在專利文獻2中公開了一種半導體裝置的技術：“[課題]提供一種能夠改善散熱性、導電性且易于收納不同的半導體芯片的半導體裝置。[解決方案]以夾持平面地配置的Si芯片1a、1b的方式配置有一對散熱部件2、3，將Si芯片1a、1b的主電極與由以Cu或Al為主成分的金屬構成的各散熱部件2、3以電連接且導熱連接的方式經由接合部件4連接起來。在一面側的散熱部件2上與面對的Si芯片1a、1b對應地形成有突出部2a，且該突出部2a的前端與主電極連接起來。并且，對Si芯片1a、1b和各散熱部件2、3進行了樹脂封固。(參照[摘要])”。

另外，在專利文獻3中公開了一種半導體元件的技術，“[目的]在使收容有半導體基體的容器被兩個接觸體夾持地與其加壓接觸的情況下，從控制電極存在的主面側的散熱也會保持良好，該半導體基體是在一個主面上整面地具有主電極、在另一主面上具有主電極和控制電極的、例如IGBT芯片等的半導體基體。[結構]利用絕緣性及良導熱性的凝膠8和其上的絕緣性及良導熱性的注型樹脂9將半導體基體的具有控制電極的主面覆蓋，使得能夠經由這些凝膠8及樹脂層9進行散熱。如果以共同的接觸體夾持多個這種元件，則能夠利用傳導及放射向兩接觸體傳熱，從而得到小體積且大電容的半導體裝置。(參照[摘要])”。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2015－116053號公報

專利文獻2：日本特開2001－156225號公報

專利文獻3：日本特開平05－326830號公報

發明內容

發明所要解決的課題

但是，在上述專利文獻1～3公開的技術中存在如下課題。