[發(fā)明專利]一種大面積超薄石墨烯/二硫化鉬超晶格異質(zhì)材料有效

申請(qǐng)?zhí)枺?/td>	201611018756.4	申請(qǐng)日：	2016-11-21
公開（公告）號(hào)：	CN106409957B	公開（公告）日：	2018-06-19
發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：	張楷亮;白鶴;馬峻;王芳;李悅;李微;袁育杰	申請(qǐng)（專利權(quán)）人：	天津理工大學(xué)
主分類號(hào)：	H01L31/072	分類號(hào)：	H01L31/072;H01L31/028;H01L31/0336
代理公司：	天津佳盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 12002	代理人：	侯力
地址：	300384 天津市西青***	國(guó)省代碼：	天津;12
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摘要：
搜索關(guān)鍵詞：	石墨烯二硫化鉬超晶格異質(zhì)材料制備異質(zhì)太陽能電池單晶硅面積要求二硫化鉬薄膜光電轉(zhuǎn)換效率化學(xué)氣相沉積超晶格材料多層薄膜二維材料異質(zhì)結(jié)構(gòu) 增加設(shè)備層遞式二維濕法電池
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專利分類

H 電學(xué)

H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的

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