[發(fā)明專利]一種大面積超薄石墨烯/二硫化鉬超晶格異質材料有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611018756.4 | 申請日： | 2016-11-21 |
| 公開（公告）號： | CN106409957B | 公開（公告）日： | 2018-06-19 |
| 發(fā)明（設計）人： | 張楷亮;白鶴;馬峻;王芳;李悅;李微;袁育杰 | 申請（專利權）人： | 天津理工大學 |
| 主分類號： | H01L31/072 | 分類號： | H01L31/072;H01L31/028;H01L31/0336 |
| 代理公司： | 天津佳盟知識產權代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市西青*** | 國省代碼： | 天津;12 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 石墨烯 二硫化鉬 超晶格 異質材料 制備 異質太陽能電池 單晶硅 面積要求 二硫化鉬薄膜 光電轉換效率 化學氣相沉積 超晶格材料 多層薄膜 二維材料 異質結構 增加設備 層遞式 二維 濕法 電池 | ||
【權利要求書】：
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
