[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201611018351.0
• 申請日: 2016-11-09
• 公開（公告）號: CN107017164B
• 公開（公告）日: 2019-10-25
• 發明（設計）人: 黃意君;謝東衡;楊寶如
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;H01L29/417;H01L29/78
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 馮志云;王芝艷

本公開實施例提供一種半導體裝置及其制造方法，該半導體裝置包括鰭結構、第一柵極結構、第二柵極結構、源極/漏極區、源極/漏極接觸、分隔物和接觸源極/漏極接觸的介層孔插塞和接觸介層孔插塞的導線。鰭結構突出于隔絕絕緣層且以第一方向延伸。第一柵極結構和第二柵極結構，形成于鰭結構上方且以交叉于第一方向的第二方向延伸。源/漏極區設置于第一柵極結構和第二柵極結構之間。層間絕緣層設置于鰭結構、第一柵極結構、第二柵極結構和源/漏極區上方。源極/漏極接觸層，設置于源/漏極區上。分隔物設置相鄰于源極/漏極接觸。第一柵極結構的末端、第二柵極結構的末端和源極/漏極接觸的末端接觸分隔物的相同面。

技術領域

本公開實施例涉及一種半導體裝置及其制造方法，特別涉及一種位于源極/漏極區上方的自對準接觸結構(self-align contact structure)及其制造方法。

背景技術

隨著半導體元件尺寸的縮小，自對準接觸(以下簡稱SAC)被廣泛地使用于工藝中，例如配置接近于一場效晶體管(FET)的柵極結構的源極/漏極(S/D)接觸。通常來說，利用圖案化層間介電層(ILD)制造的自對準接觸，在層間介電層下方，會于具有側壁間隙壁的一柵極結構上方形成接觸蝕刻停止層(contact etch-stop layer，CESL)。層間介電層的初始蝕刻會停止在接觸蝕刻停止層，然后蝕刻接觸蝕刻停止層以形成自對準接觸。當元件密度增加時(意即縮小半導體元件尺寸)，側壁間隙壁的厚度會變得更薄，其可能會導致源極/漏極(S/D)接觸和柵極之間產生短路(short circuit)。并且，兩個相鄰的源極/漏極接觸之間的間隔變得更窄。因此，有需要提供一種自對準接觸結構(self-align contact structure)及其制造方法，以改善源極/漏極接觸之間的電性隔絕。

發明內容

依據本公開一些實施例，提供一種半導體裝置的制造方法。上述半導體裝置的制造方法包括于一第一鰭結構的一部分和一第二鰭結構的一部分上方形成一第一柵極結構和一第二柵極結構，上述第一鰭結構的上述部分和上述第二鰭結構的上述部分設置一基板上方，以一第一方向延伸，以交叉于上述第一方向的一第二方向配置，上述第一鰭結構的上述部分和上述第二鰭結構的上述部分彼此平行且突出于一隔絕絕緣層。上述第一柵極結構和上述第二柵極結構以上述第二方向延伸且以上述第一方向配置，上述第一柵極結構和上述第二柵極結構彼此平行。于上述第一柵極結構和上述第二柵極結構上方形成一層間絕緣層。于上述層間絕緣層上方形成具有一第一開口的一第一掩模層。上述第一開口位于上述第一柵極結構和上述第二柵極結構上方。穿過上述第一開口切割上述第一柵極結構和上述第二柵極結構，且穿過上述第一開口蝕刻設置上述第一柵極結構和上述第二柵極結構之間的上述隔絕絕緣層和上述層間介電層，以形成一第一凹陷。于上述第一凹陷中形成一絕緣層。形成具有一第二開口的一第二掩模層以暴露位于上述第一凹陷中的上述絕緣層的一部分和上述層間介電層的一部分。上述第二開口位于上述第一鰭結構上方。穿過上述第二開口蝕刻上述層間介電層的上述暴露部分，以于上述第一鰭結構上方形成至少一個第二凹陷。于至少上述個第二凹陷中形成一導電材料，以形成一第一源極/漏極接觸層。