[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611018351.0
• 申請(qǐng)日: 2016-11-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107017164B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-10-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃意君;謝東衡;楊寶如
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L21/28;H01L29/417;H01L29/78
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 馮志云;王芝艷

1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括下列步驟：

于一第一鰭結(jié)構(gòu)的一部分和一第二鰭結(jié)構(gòu)的一部分上方形成一第一柵極結(jié)構(gòu)和一第二柵極結(jié)構(gòu)，該第一鰭結(jié)構(gòu)的該部分和該第二鰭結(jié)構(gòu)的該部分設(shè)置于一基板上方，以一第一方向延伸，以交叉于該第一方向的一第二方向配置，該第一鰭結(jié)構(gòu)的該部分和該第二鰭結(jié)構(gòu)的該部分彼此平行且突出于一隔絕絕緣層，該第一柵極結(jié)構(gòu)和該第二柵極結(jié)構(gòu)以該第二方向延伸且以該第一方向配置，該第一柵極結(jié)構(gòu)和該第二柵極結(jié)構(gòu)彼此平行；

于該第一柵極結(jié)構(gòu)和該第二柵極結(jié)構(gòu)上方形成一層間絕緣層；

于該層間絕緣層上方形成具有一第一開(kāi)口的一第一掩模層，該第一開(kāi)口位于該第一柵極結(jié)構(gòu)和該第二柵極結(jié)構(gòu)上方；

穿過(guò)該第一開(kāi)口切割該第一柵極結(jié)構(gòu)和該第二柵極結(jié)構(gòu)，且穿過(guò)該第一開(kāi)口蝕刻設(shè)置該第一柵極結(jié)構(gòu)和該第二柵極結(jié)構(gòu)之間的該隔絕絕緣層和該層間絕緣層，以形成一第一凹陷；

于該第一凹陷中形成一絕緣層；

形成具有一第二開(kāi)口的一第二掩模層以暴露位于該第一凹陷中的該絕緣層的一部分和該層間絕緣層的一部分，該第二開(kāi)口位于該第一鰭結(jié)構(gòu)上方；

穿過(guò)該第二開(kāi)口蝕刻該層間絕緣層的該暴露部分，以于該第一鰭結(jié)構(gòu)上方形成至少一個(gè)第二凹陷；以及

于至少該個(gè)第二凹陷中形成一導(dǎo)電材料，以形成一第一源極/漏極接觸層。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中該絕緣層包括氮化硅(SiN)。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中該導(dǎo)電材料包括鎢(W)、鈷(Co)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、其硅化物或其氮化物的至少一個(gè)。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，還包括形成接觸該第一源極/漏極接觸層的一第一介層孔插塞，其中該第一介層孔插塞包括鎢(W)、銅(Cu)、鈷(Co)、鎳(Ni)或其硅化物的至少一個(gè)。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，還包括形成接觸該第一介層孔插塞的一第一導(dǎo)線圖案，其中該第一導(dǎo)線圖案為一電源供應(yīng)導(dǎo)線。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中：

該第二開(kāi)口也位于該第二鰭結(jié)構(gòu)上方，

在進(jìn)行穿過(guò)該第二開(kāi)口蝕刻該層間絕緣層的該暴露部分時(shí)，于該第二鰭結(jié)構(gòu)上方形成另一個(gè)第二凹陷，以及

于該另一個(gè)第二凹陷中形成該導(dǎo)電材料以得到一第二源極/漏極接觸層。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，還包括形成接觸該第一源極/漏極接觸層的一第一介層孔插塞，

其中該第一介層孔插塞接觸該第二源極/漏極接觸層。

8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，還包括：

形成接觸該第一源極/漏極接觸層的一第一介層孔插塞；以及

形成接觸該第二源極/漏極接觸層的一第二介層孔插塞，

其中該第一介層孔插塞和該第二介層孔插塞通過(guò)一絕緣材料物理上分離。

9.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中：

該第二掩模層具有一第三開(kāi)口以暴露位于該第一凹陷和至少該個(gè)第二凹陷和該另一個(gè)第二凹陷外面的該絕緣層的一部分，

在進(jìn)行穿過(guò)該第二開(kāi)口蝕刻該層間絕緣層的該暴露部分時(shí)，會(huì)穿過(guò)該第三開(kāi)口蝕刻該絕緣層的該部分以形成一第三凹陷，以及

在進(jìn)行于至少該個(gè)第二凹陷和該另一個(gè)第二凹陷中形成該導(dǎo)電材料時(shí)，也會(huì)于該第三凹陷中形成該導(dǎo)電材料。