[發明專利]用于減薄襯底的方法

有效

• 申請號: 201611018130.3
• 申請日: 2016-11-18
• 公開（公告）號: CN107039252B
• 公開（公告）日: 2020-09-11
• 發明（設計）人: R·拉普;I·莫德;I·穆里;F·J·桑托斯羅德里奎茲;H-J·舒爾策
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01L21/306
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 鄭立柱

各種實施例涉及用于減薄襯底的方法。根據各種實施例，一種方法可以包括：提供具有第一側和與第一側相對的第二側的襯底；通過處理襯底的第一側而在襯底中或上方中的至少一項形成掩埋層；將襯底從襯底的第二側減薄，其中掩埋層包括與襯底相比對減薄具有較大抵抗性的固態化合物，并且其中減薄在掩埋層處停止。

技術領域

各種實施例總體上涉及用于襯底減薄的方法。

背景技術

通常，使用半導體技術在襯底(也稱為晶片或載體)上或者在襯底中處理半導體材料，例如以制造集成電路(也稱為芯片)。在處理半導體材料期間，可以應用某些處理步驟，諸如減薄襯底或者在襯底上方形成一個或多個層。

減薄襯底可以包括從襯底的背面去除材料。經減薄的襯底的剩余厚度是其中影響對于電氣短路的魯棒性的關鍵參數，例如在絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)中由于發射極與場停止區之間的所得到的距離。因此，用于減薄的精確調節是用于控制容易被處理的芯片的性能和可靠性的關鍵參數。

在半導體材料的進一步處理中，某些雜質原子可以擴散到襯底外部，例如氮和氧。由于雜質原子的存在和濃度影響襯底的某些有源區域、例如IGBT的漂移區的電氣性質，所以這可能損害容易被處理的芯片的性能。例如，減少的氧可能導致熱施主，并且減少的氮可能減少漂移區的摻雜或者場停止區的摻雜。

傳統上，為了減薄襯底(減薄過程)，使用研磨結合蝕刻，或者如果需要對于晶片厚度的更準確的控制，則使用電化學蝕刻。電化學蝕刻關于空間電荷區域的邊界是自調節的。這樣的傳統的處理在其精確性方面非常敏感。例如，摻雜水平影響空間電荷區域的范圍使得自調節不能足夠精確。因此，傳統的方法需要極大的努力以實現精確的自調節效果。

發明內容

根據各種實施例，一種方法可以包括：提供具有第一側和與第一側相對的第二側的襯底；通過處理襯底的第一側而在襯底中或上方中的至少一項形成掩埋層；從襯底的第二側減薄襯底，其中掩埋層包括與襯底相比對減薄具有較大抵抗性的固態化合物，并且其中減薄在掩埋層處停止。

附圖說明

在附圖中，相似的附圖標記通常遍及不同的視圖指代相同的部分。附圖不一定按比例，重點相反通常在于說明本發明的原理。在以下描述中，參考以下附圖來描述本發明的各種實施例，在附圖中：

圖1A到圖1C分別示出根據各種實施例的方法；

圖2A到圖2C分別示出根據各種實施例的方法；

圖3A到圖3C分別示出根據各種實施例的方法；

圖4A到圖4C分別示出根據各種實施例的方法；

圖5A到圖5C分別示出根據各種實施例的方法；

圖6A到圖6C分別示出根據各種實施例的方法；

圖7A到圖7C分別示出根據各種實施例的方法；

圖8A到圖8C分別示出根據各種實施例的方法；

圖9A到圖9C分別示出根據各種實施例的方法；

圖10A到圖10C分別示出根據各種實施例的方法；以及

圖11A到圖11C分別示出根據各種實施例的方法。

具體實施方式

以下詳細描述參考附圖，附圖作為說明示出了能夠實踐本發明的具體細節和實施例。

詞語“示例性”在本文中用于表示“用作示例、實例或說明”。本文中描述為“示例性”的任何實施例或設計不一定要被理解為比其他實施例或設計優選或有利。