[發(fā)明專利]用于減薄襯底的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611018130.3
• 申請日: 2016-11-18
• 公開（公告）號: CN107039252B
• 公開（公告）日: 2020-09-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: R·拉普;I·莫德;I·穆里;F·J·桑托斯羅德里奎茲;H-J·舒爾策
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01L21/306
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 鄭立柱

1.一種用于減薄襯底的方法，包括：

提供具有第一側(cè)和與所述第一側(cè)相對的第二側(cè)的襯底；

通過處理所述襯底的所述第一側(cè)而在所述襯底中形成掩埋層；

從所述襯底的所述第二側(cè)減薄所述襯底，其中所述掩埋層包括與所述襯底相比對所述減薄具有更大抵抗性的固態(tài)化合物，并且其中所述減薄在所述掩埋層處停止，其中在所述襯底中形成所述掩埋層包括：

向所述襯底中形成多個溝槽；

通過所述多個溝槽向所述襯底中引入比所述襯底具有更高電負性的化學(xué)元素；

填充所述多個溝槽，

其中填充所述多個溝槽包括通過加熱所述襯底的至少所述第一側(cè)來部分熔化所述襯底。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在所述襯底上方形成外延層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，

其中所述外延層包括所述襯底的材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中形成所述掩埋層包括注入比所述襯底具有更大電負性的化學(xué)元素。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，還包括：

在所述外延層中形成以下電路部件中的至少一種：二極管、晶體管或電路結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，還包括：

在所述襯底或所述外延層中的至少一項中形成貫通電接觸，所述貫通電接觸與所述至少一個電路部件電接觸。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，還包括：

形成延伸通過所述襯底、所述掩埋層或所述外延層中的至少一項的貫通電接觸。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中加熱所述襯底的至少所述第一側(cè)包括使用激光器。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

對所述襯底回火以使所述掩埋層的成分均質(zhì)化。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中減薄所述襯底包括以下中的至少一項：蝕刻、化學(xué)機械拋光或研磨。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中減薄所述襯底包括使用所述掩埋層對其具有惰性的蝕刻劑。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中所述掩埋層接近所述襯底的所述第一側(cè)。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中所述掩埋層包括至少兩個子層，所述至少兩個子層為如下中的至少一項：在化學(xué)成分上彼此不同或者彼此遠離。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中所述固態(tài)化合物包括碳或氮中的至少一項。

15.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，還包括：

在所述外延層中形成以下電路部件中的至少一種：絕緣柵雙極型晶體管、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管或功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。