[發明專利]修復光掩模的方法

在審

• 申請號: 201611017298.2
• 申請日: 2016-11-14
• 公開（公告）號: CN106873307A
• 公開（公告）日: 2017-06-20
• 發明（設計）人: 蔡尚綸;李岳勛;朱遠志;秦圣基
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F1/72
• 分類號: G03F1/72;G03F1/26
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司72003
• 代理人: 馮志云,王芝艷

技術領域

本發明實施例涉及一種半導體技術，且特別涉及一種修復光掩模的方法。

背景技術

半導體集成電路(integrated circuit,IC)工業歷經了快速的成長。IC材料與設計的技術進展造就了各個IC世代，每一世代的電路都比前世代來得更小更為復雜。在IC進展課題中，功能密度(即，單位芯片面積的內連裝置數量)普遍增加，而幾何尺寸(即，所使用的工藝能形成的最小部件(或線))則縮小。上述尺寸微縮工藝因生產效率的增加及相關成本的降低而有所助益。而上述尺寸微縮亦已增加IC加工及制造的復雜度，而因應這些進展，IC制造及加工需要類似的演進。在關于微影圖案化的一范例中，用于微影工藝中的光掩模(或掩模)具有一電路圖案定義于其上且會轉移至晶片。光掩模上的圖案需要更加精確，且對于先進技術節點中小特征部件尺寸而言，微影圖案化對于光掩模缺陷會更加敏感。因此，會修復光掩模以排除缺陷，并進一步檢查以確認修復的缺陷。

發明內容

根據一些實施例，本公開提供一種修復光掩模的方法。上述方法包括接收一光掩模，其包括一圖案化特征部件及一缺陷。圖案化特征部件產生一相移且具有一透光率。通過形成一修復特征部件來修復缺陷。修復特征部件產生上述相移且具有上述透光率。

根據一些實施例，本公開提供一種修復光掩模的方法。上述方法包括接收一光掩模，其包括一圖案化特征部件。圖案化特征部件產生一相移且具有一透光率。辨識光掩模上的一缺陷區。形成一修復特征部件于光掩模上的缺陷區上方。形成修復特征部件包括形成一第一圖案化材料層于缺陷區上方以及形成一第二圖案化材料層于第一圖案化材料層上方，以形成修復特征部件。修復特征部件產生上述相移且具有上述透光率。

根據一些實施例，本公開提供一種相移光掩模(phase shift mask,PSM)實施例，用以制造一集成電路。相移光掩模(PSM)包括：一透明基底；一原始特征部件，其具有一參考復合折射率及一參考厚度(t_ref)；以及一修復特征部件，包括一第一層，其具有一第一復合折射率及一第一厚度(t₁)。選定的第一厚度，造成修復特征部件的相移及透光率分別相同于原始特征部件的相移及透光率。

附圖說明

圖1是繪示出根據本發明一或多個實施例的修復光掩模的方法流程圖。

圖2A是繪示出根據本發明一或多個實施例的具有缺陷的相移光掩模(phase shift mask,PSM)的剖面示意圖。

圖2B是繪示出根據本發明一或多個實施例的具有修復圖案的相移光掩模(PSM)的剖面示意圖。

圖2C是繪示出根據本發明一或多個實施例的具有修復圖案的相移光掩模(PSM)的剖面示意圖。

附圖標記說明：

100 方法

102、104、106、108、110 操作步驟

200 光掩模

202 基底

203 缺陷

204 (原始)圖案

206 (修復)圖案/第一層

223 第二層

224 第三層

t₁、t₂、t₃、t_ref 厚度

具體實施方式

可理解的是以下的公開內容提供許多不同的實施例或范例，以實施本發明的不同特征部件。而以下的公開內容是敘述各個構件及其排列方式的特定范例，以求簡化本公開內容。當然，這些僅為范例說明并非用以限定本發明。舉例來說，若是以下的公開內容敘述了將一第一特征部件形成于一第二特征部件之上或上方，即表示其包含了所形成的上述第一特征部件與上述第二特征部件是直接接觸的實施例，亦包含了尚可將附加的特征部件形成于上述第一特征部件與上述第二特征部件之間，而使上述第一特征部件與上述第二特征部件可能未直接接觸的實施例。另外，本公開內容在各個不同范例中會重復標號及/或文字。重復是為了達到簡化及明確目的，而非自行指定所探討的各個不同實施例及/或配置之間的關系。

圖1是繪示出根據本發明一或多個實施例的修復光掩模的方法100的流程圖。以下配合參照圖1及相關的第2A、2B及2C圖說明上述方法100。光掩模修復可實施于制造光掩模的光掩模工廠、用光掩模制造半導體裝置于晶片上的廠區、制造空白光掩模的玻璃工廠及/或人和其他位置場所。可以理解的是可在方法100進行之前、期間或之后進行額外的步驟，且可在方法100的額外實施例中取代或排除某些所述及的步驟。