[發明專利]修復光掩模的方法在審
| 申請號： | 201611017298.2 | 申請日： | 2016-11-14 |
| 公開（公告）號： | CN106873307A | 公開（公告）日： | 2017-06-20 |
| 發明（設計）人： | 蔡尚綸;李岳勛;朱遠志;秦圣基 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/72 | 分類號： | G03F1/72;G03F1/26 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司72003 | 代理人： | 馮志云,王芝艷 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 修復 光掩模 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種修復光掩模的方法，包括︰
接收一光掩模，其包括一圖案化特征部件及一缺陷，該圖案化特征部件產生一相移且具有一透光率；以及
通過形成一修復特征部件來修復該缺陷，該修復特征部件產生該相移且具有該透光率。
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G03 攝影術；電影術；利用了光波以外其他波的類似技術；電記錄術；全息攝影術
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
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G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
