[發(fā)明專(zhuān)利]梯度合金量子點(diǎn)的制備及該量子點(diǎn)在QLED器件的應(yīng)用有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611016700.5 | 申請(qǐng)日: | 2016-11-18 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN106653969B | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-11-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張?zhí)摴?/a>;李清華;紀(jì)麗珊;金肖 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 南昌航空大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L33/28 | 分類(lèi)號(hào): | H01L33/28;H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司: | 南昌洪達(dá)專(zhuān)利事務(wù)所 36111 | 代理人: | 劉凌峰 |
| 地址: | 330063 江*** | 國(guó)省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 梯度 合金 量子 制備 qled 器件 應(yīng)用 | ||
本發(fā)明的目的在于提供一種梯度合金量子點(diǎn)的制備及其該量子點(diǎn)在QLED器件的應(yīng)用,目前量子點(diǎn)的制備可分為有機(jī)相合成和水相合成,水相合成溫度較低,周期較短而其弊端亦是顯而易見(jiàn)的,熒光壽命短,量子點(diǎn)產(chǎn)率低,雜質(zhì)多等等,而目前高產(chǎn)率,熒光壽命長(zhǎng)的量子點(diǎn)主要是通過(guò)油相合成。我們研發(fā)一種高效的梯度合金量子點(diǎn)制備方法。成功梯度合成合金量子點(diǎn),具有熒光壽命長(zhǎng),半峰寬窄,絕對(duì)產(chǎn)率高等等特點(diǎn)的優(yōu)質(zhì)的梯度合金量子點(diǎn)并在QLED器件的應(yīng)用。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是:梯度合金量子點(diǎn)制備技術(shù)穩(wěn)定,有機(jī)相合成量子產(chǎn)率高、量子點(diǎn)粒徑更小。所制備的QLED易組裝成本低且具有寬的吸收光譜和高的光電轉(zhuǎn)換效率,具有比較高的開(kāi)發(fā)價(jià)值。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及梯度合金量子點(diǎn)的制備,具體涉及錳離子和銅離子優(yōu)化梯度合金量子點(diǎn)的制備及該量子點(diǎn)在QLED器件的應(yīng)用。
背景技術(shù)
目前量子點(diǎn)熱正在席卷世界,其全波段可協(xié)調(diào)發(fā)光,半峰寬窄,生物相容性好等等優(yōu)點(diǎn)吸引著人們對(duì)其研究的不斷深入。目前量子點(diǎn)的制備可分為有機(jī)相合成和水相合成,水相合成溫度較低,周期較短而其弊端亦是顯而易見(jiàn)的,熒光壽命短,量子點(diǎn)產(chǎn)率低,雜質(zhì)多等等,而目前高產(chǎn)率,熒光壽命長(zhǎng)的量子點(diǎn)主要是通過(guò)油相合成。我們研發(fā)一種高效的梯度合金量子點(diǎn)制備方法。成功梯度合成合金量子點(diǎn),具有熒光壽命長(zhǎng),半峰寬窄,絕對(duì)產(chǎn)率高等等特點(diǎn)的優(yōu)質(zhì)的梯度合金量子點(diǎn)并在QLED器件的應(yīng)用。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是:梯度合金量子點(diǎn)制備技術(shù)穩(wěn)定,有機(jī)相合成量子產(chǎn)率高、量子點(diǎn)粒徑更小。所制備的QLED易組裝成本低且具有寬的吸收光譜和高的光電轉(zhuǎn)換效率,具有比較高的開(kāi)發(fā)價(jià)值。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供梯度合金量子點(diǎn)的制備及該量子點(diǎn)在QLED器件的應(yīng)用,量子點(diǎn)獨(dú)特的量子尺寸效應(yīng)、宏觀量子隧道效應(yīng)、量子尺寸效應(yīng)和表面效應(yīng)使其展現(xiàn)出出色的物理性質(zhì),尤其是其光學(xué)性能。相對(duì)于有機(jī)熒光染料,膠體法制備的量子點(diǎn)具有光譜可調(diào),發(fā)光強(qiáng)度大、色純度高、熒光壽命長(zhǎng),單光源可激發(fā)多色熒光等優(yōu)勢(shì)。此外,QLED的壽命長(zhǎng),封裝工藝簡(jiǎn)單。
本發(fā)明采用如下的技術(shù)方案,一種錳離子優(yōu)化梯度合金量子點(diǎn)的制備,其特征是方法步驟如下:
(1)以醋酸鋅作為量子點(diǎn)制備鋅前驅(qū)體,氧化鎘作為量子點(diǎn)制備鎘前驅(qū)體,以S,1-十八烯制備成S源,以硒粉制備的三丁基膦硒化膦作為硒前驅(qū)體,以1-十八烯為穩(wěn)定劑,油酸作為溶劑反應(yīng)劑和配體得油溶性梯度合金量子點(diǎn)。乙腈促使量子點(diǎn)沉淀,離心分離提純;
(2)硒源:鋅源:鎘源:Mn2+=1:5:0.5:0.05的摩爾比反應(yīng),S的量不定,可制得可見(jiàn)光波段所有類(lèi)型的量子點(diǎn),此時(shí)量子點(diǎn)含有雜質(zhì)未反應(yīng)的硒源雜質(zhì),過(guò)量的鋅源等等,加入過(guò)量丙酮乙腈等促使量子點(diǎn)沉淀離心分離得固體粉末,加入三氯甲烷溶解再加過(guò)量丙酮沉淀,反復(fù)兩次得到純凈的梯度合金量子點(diǎn)粉末;
(3)采用有機(jī)相合成成功制備了膠體量子點(diǎn)CdS/ZnSe梯度量子點(diǎn)并成功對(duì)其進(jìn)行包覆,制備出了CdS/ZnSe梯度量子點(diǎn),包覆后熒光性能得到明顯改善;通過(guò)改變合成工藝參數(shù)在很寬的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)了發(fā)光光譜的調(diào)控;所合成的CdS/ZnSe梯度量子點(diǎn)熒光量子產(chǎn)率達(dá)90%,;量子點(diǎn)粒徑分布均勻,熒光半峰寬為17~30nm,并能維持優(yōu)異的光純度和光亮度。
一種銅離子優(yōu)化梯度合金量子點(diǎn)的制備,其特征是方法步驟如下:
(1)以醋酸鋅作為量子點(diǎn)制備鋅前驅(qū)體,氧化鎘作為量子點(diǎn)制備鎘前驅(qū)體,以S,1-十八烯制備成S源,以硒粉制備的三丁基膦硒化膦作為硒前驅(qū)體,以1-十八烯為穩(wěn)定劑,油酸作為溶劑反應(yīng)劑和配體得油溶性梯度合金量子點(diǎn)。乙腈促使量子點(diǎn)沉淀,離心分離提純;
(2)硒源:鋅源:鎘源:Cu2+=1:5:0.5:0.05的摩爾比反應(yīng),S的量不定,可制得可見(jiàn)光波段所有類(lèi)型的量子點(diǎn),此時(shí)量子點(diǎn)含有雜質(zhì)未反應(yīng)的硒源雜質(zhì),過(guò)量的鋅源等等,加入過(guò)量丙酮乙腈等促使量子點(diǎn)沉淀離心分離得固體粉末,加入三氯甲烷溶解再加過(guò)量丙酮沉淀,反復(fù)兩次得到純凈的梯度合金量子點(diǎn)粉末;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備;這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的,例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
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