[發明專利]梯度合金量子點的制備及該量子點在QLED器件的應用

有效

• 申請號: 201611016700.5
• 申請日: 2016-11-18
• 公開（公告）號: CN106653969B
• 公開（公告）日: 2018-11-13
• 發明（設計）人: 張虛谷;李清華;紀麗珊;金肖
• 申請（專利權）人: 南昌航空大學
• 主分類號: H01L33/28
• 分類號: H01L33/28;H01L33/04;H01L33/00
• 代理公司: 南昌洪達專利事務所 36111
• 代理人: 劉凌峰

1.一種錳離子優化的梯度合金量子點的制備方法，其特征步驟如下：

（1）以醋酸鋅作為量子點制備鋅前驅體，氧化鎘作為量子點制備鎘前驅體，以S，1-十八烯制備成S源，以硒粉制備的三丁基膦硒化膦作為硒前驅體，以1-十八烯為穩定劑，油酸作為溶劑反應劑和配體得油溶性梯度合金量子點；乙腈促使量子點沉淀，離心分離提純；

（2）硒源：鋅源：鎘源：Mn2+=1:5：0.5：0.05的摩爾比反應，改變S的量（0.1mmol~1mmol），可制得可見光波段所有類型的量子點，此時量子點含有雜質未反應的硒源雜質，過量的鋅源（大于7mmol化學物質量）等等，加入丙酮乙腈（量子點原液：丙酮：乙腈體積比=1:(1.1~2.0)：(1.1~2.5)）促使量子點沉淀離心分離得固體粉末，加入三氯甲烷溶解再加丙酮(三氯甲烷：丙酮體積比=1:（1.5~3）)沉淀，反復兩次得到純凈的梯度合金量子點粉末；

(3)采用有機相合成成功制備了膠體量子點CdS/ZnSe梯度量子點并成功對其進行包覆,制備出了CdS/ZnSe梯度量子點,包覆后熒光性能得到明顯改善；通過改變合成工藝參數在很寬的范圍內實現了發光光譜的調控；所合成的CdS/ZnSe梯度量子點熒光量子產率達90%,；量子點粒徑分布均勻,熒光半峰寬為17～30nm,并能維持優異的光純度和光亮度。

2.一種銅離子優化的梯度合金量子點的制備方法，其特征步驟如下：

（1）以醋酸鋅作為量子點制備鋅前驅體，氧化鎘作為量子點制備鎘前驅體，以S，1-十八烯制備成S源，以硒粉制備的三丁基膦硒化膦作為硒前驅體，以1-十八烯為穩定劑，油酸作為溶劑反應劑和配體得油溶性梯度合金量子點；乙腈促使量子點沉淀，離心分離提純；

（2）硒源：鋅源：鎘源：Cu2+=1:5：0.5：0.05的摩爾比反應，改變S的量（0.1mmol~1mmol），可制得可見光波段所有類型的量子點，此時量子點含有雜質未反應的硒源雜質，過量的鋅源（大于7mmol化學物質量）等等，加入丙酮乙腈（量子點原液：丙酮：乙腈體積比=1:(1.1~2.0)：(1.1~2.5)）促使量子點沉淀離心分離得固體粉末，加入三氯甲烷溶解再加丙酮(三氯甲烷：丙酮體積比=1:（1.5~3）)沉淀，反復兩次得到純凈的梯度合金量子點粉末；

(3)采用有機相合成成功制備了膠體量子點CdS/ZnSe梯度量子點并成功對其進行包覆,制備出了CdS/ZnSe梯度量子點,包覆后熒光性能得到明顯改善；通過改變合成工藝參數在（400nm~650nm）的范圍內實現了發光光譜的調控；所合成的CdS/ZnSe梯度量子點熒光量子產率達90%,；量子點粒徑分布均勻,熒光半峰寬為17～30nm,并能維持優異的光純度和光亮度。

3.一種根據權利要求1所述的錳離子優化梯度合金量子點在QLED器件的應用，其特征在于：

（1）將純凈的梯度合金量子點粉末重新分散到三氯甲烷中；

（2）將提純后的量子點組裝成QLED發光器件，空穴傳輸層、發光層以及電子傳輸層組成的三明治結構。

4.一種根據權利要求2所述的銅離子優化梯度合金量子點在QLED器件的應用，其特征在于：

（1）將純凈的梯度合金量子點粉末重新分散到三氯甲烷中；

（2）將提純后的量子點組裝成QLED發光器件，空穴傳輸層、發光層以及電子傳輸層組成的三明治結構。