[發(fā)明專利]高密度SOI封裝基板及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611015068.2 | 申請日： | 2016-11-18 |
| 公開（公告）號： | CN106783801B | 公開（公告）日： | 2020-02-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 馬盛林;金仲和;任奎麗;金玉豐;王志平;王春波;時廣軼 | 申請（專利權(quán)）人： | 浙江大學(xué);寧波麥思電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/538 | 分類號： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 11249 北京中恒高博知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 劉洪京 |
| 地址： | 310000 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 高密度 soi 封裝 及其 制備 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種高密度SOI封裝基板的制備方法，包括以下步驟：
⑴、取含有SiO2埋氧層的SOI圓片作為基板，通過DRIE或激光對基板正面和背面進行刻蝕，獲得至SiO2埋氧層的硅柱，硅柱與基板之間設(shè)有絕緣結(jié)構(gòu)；
⑵、對步驟⑴的基板兩外側(cè)面拋光處理，由基板正面硅柱刻蝕出盲孔，至基板背側(cè)的硅柱中；
⑶、對步驟⑵盲孔中注入金屬形成金屬柱；
⑷、向步驟⑶基板兩側(cè)全部表面均覆蓋上絕緣層；
⑸、對步驟⑷基板進行拋光處理，兩側(cè)的絕緣層面上覆蓋上金屬互連層。
2.如權(quán)利要求1所述高密度SOI封裝基板的制備方法，其特征在于：步驟⑵中絕緣結(jié)構(gòu)為二氧化硅層、BCB層、PI層、玻璃漿料或空氣絕緣層。
3.如權(quán)利要求2所述高密度SOI封裝基板的制備方法，其特征在于：步驟⑷中絕緣層是通過PECVD、旋涂、噴鍍中的至少一種方法覆蓋在基板兩側(cè)全部表面上的。
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