[發(fā)明專利]一種TiO2/BaTiO3/RGO三元復合光電薄膜、其快速原位制備方法及應用有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611012978.5 | 申請日: | 2016-11-17 |
| 公開(公告)號: | CN106847666B | 公開(公告)日: | 2019-10-11 |
| 發(fā)明(設計)人: | 馬曉;母事理;李相波;閆永貴 | 申請(專利權)人: | 中國船舶重工集團公司第七二五研究所 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L31/028;H01L31/032;H01L31/074;B82Y30/00 |
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| 地址: | 266000 山*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 tio2 batio3 rgo 三元 復合 光電 薄膜 快速 原位 制備 方法 應用 | ||
1.一種TiO2/BaTiO3/RGO三元復合光電薄膜的快速原位制備方法,其特征在于,
該TiO2/BaTiO3/RGO三元復合光電薄膜,包括如下組分:TiO2、BaTiO3和RGO,其中,BaTiO3在TiO2表面通過原位反應生成TiO2/BaTiO3有序納米管陣列,RGO則分布在TiO2/BaTiO3有序納米管陣列的表面及管內;
TiO2/BaTiO3/RGO三元復合光電薄膜以鈦箔經(jīng)陽極氧化得到的TiO2有序納米管陣列模板,以水熱法為基礎,采用微波為能量源,TiO2有序納米管陣列模板在Ba(OH)2和GO的前驅體混合溶液中反應,使部分TiO2有序納米管陣列模板原位反應生成BaTiO3的同時,將分散性好的RO原位還原,一步制備出的TiO2/BaTiO3/RGO三元復合光電薄膜;
具體包括如下步驟:
1)鈦基表面TiO2納米管的制備:將鈦箔超聲清洗、化學拋光,然后以鉑片為陰極,鈦箔為陽極,在NH4F和H2O的甘油溶液中陽極氧化,陽極氧化后鈦基表面TiO2納米管的直徑為100nm-160 nm;
2)前驅體混合溶液的制備:在攪拌條件下,將Ba(OH)2溶解于水中,形成Ba(OH)2的澄清溶液,稱為A液;將氧化石墨烯GO溶解于水中,分散均勻后制得GO的水溶液,稱為B液;在攪拌條件下,將A液緩慢滴加到B液中,形成前驅體混合溶液,稱為C液,其中C液中Ba2+含量在0.005 mol/L–0.02 mol/L,GO含量在0.25 g/L-0.80 g/L;
3)TiO2/BaTiO3/RGO三元復合光電薄膜的制備:將步驟1)制備的TiO2納米管試樣與步驟2)制備的C液轉移到聚四氟乙烯反應容器中,保持填充率為40%,設定微波水熱反應儀的升溫速率為5-20℃/min,反應溫度為120-150℃,保溫時間為5-30min,進行微波水熱合成反應;
4)待反應完成,再經(jīng)煅燒處理、隨爐冷卻至室溫后,即得TiO2/BaTiO3/RGO三元復合光電薄膜。
2.根據(jù)權利要求1所述的TiO2/BaTiO3/RGO三元復合光電薄膜的快速原位制備方法,其特征在于,步驟1)中,將鈦箔依次用丙酮、乙醇和去離子水超聲清洗、化學拋光。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的TiO2/BaTiO3/RGO三元復合光電薄膜的快速原位制備方法,其特征在于,步驟2)中,將Ba(OH)2溶解于去CO2的離子水中,電磁攪拌20-30 min,得到Ba(OH)2的澄清溶液,稱為A液;將氧化石墨烯GO溶解于去離子水中,超聲40-60 min,電磁攪拌20-30 min,制得GO的水溶液,稱為B液;將A液緩慢滴加到B液中,繼續(xù)電磁攪拌5-10 min,形成前驅體混合溶液,稱為C液,其中C液中Ba2+含量在0.005 mol/L–0.02 mol/L,GO含量在0.25 g/L-0.80 g/L。
4.根據(jù)權利要求1或2所述的TiO2/BaTiO3/RGO三元復合光電薄膜的快速原位制備方法,其特征在于,步驟4)中,待反應完成,冷卻到室溫后取出試樣,并將試樣依次用鹽酸和去離子水沖洗,干燥,最后在350-400℃馬弗爐中保溫1-2.5 h,隨爐冷卻至室溫后取出。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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