[發明專利]一種TiO2/BaTiO3/RGO三元復合光電薄膜、其快速原位制備方法及應用有效
| 申請號: | 201611012978.5 | 申請日: | 2016-11-17 |
| 公開(公告)號: | CN106847666B | 公開(公告)日: | 2019-10-11 |
| 發明(設計)人: | 馬曉;母事理;李相波;閆永貴 | 申請(專利權)人: | 中國船舶重工集團公司第七二五研究所 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L31/028;H01L31/032;H01L31/074;B82Y30/00 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 tio2 batio3 rgo 三元 復合 光電 薄膜 快速 原位 制備 方法 應用 | ||
本發明提供一種TiO2/BaTiO3/RGO三元復合光電薄膜、其快速原位制備方法及應用,屬于材料合成領域。本發明以鈦箔經陽極氧化得到的TiO2有序納米管陣列模板,以水熱法為基礎,采用微波為能量源,TiO2有序納米管陣列模板在Ba(OH)2和GO的前驅體混合溶液中反應,通過控制反應參數,使部分TiO2有序納米管陣列模板原位反應生成BaTiO3的同時,將分散性好的RO原位還原,一步制備出高性能的TiO2/BaTiO3/RGO三元復合光電薄膜,有效解決了石墨烯分散性不良、TiO2光電性能欠佳及水熱合成時間較長等問題,促進TiO2復合材料在光生陰極保護領域的應用。
技術領域
本發明涉及一種TiO2/BaTiO3/RGO三元復合光電薄膜、其快速原位制備方法及應用,該薄膜可作為海洋工程裝備的光生陰極保護材料,屬于材料合成領域。
背景技術
對于常年處于海洋及大氣環境中的工程裝備來說,腐蝕一直是其面臨的關鍵問題,而光生陰極保護是利用太陽光作為能源實現金屬材料陰極保護的一種前沿技術。
在眾多半導體材料中,TiO2是一種價廉、使用壽命長、環境友好的光生陰極保護材料。但由于TiO2帶隙較寬,僅能吸收太陽光中少量的紫外線,并且產生的光生電子遷移速度較慢,使光生電子和空穴容易復合,導致光量子效率較低。因此,國內外學者對其進行了離子摻雜、半導體復合、貴金屬負載等改性研究。近年來,由于石墨烯(graphene)具有較大的比表面積(2630 m2?g-1)、良好的導電性和更高的化學穩定性,利用石墨烯的優異特性對TiO2改性成為當前的研究熱點。
柳偉等[郭祥芹,石墨烯/TiO2復合薄膜的制備及其光生陰極保護性能研究,D,青島:中國海洋大學,2013]通過溶膠-凝膠結合熱處理技術,以制備的石墨烯和TiO2溶膠為前驅體,采用旋涂的方法在304不銹鋼表面成功制備了石墨烯/TiO2復合薄膜。研究發現,當涂覆于試樣的涂層的復合方式為一層石墨烯/TiO2復合薄膜覆蓋一層TiO2薄膜時,試樣的開路電位負移最大,約為-600mV,光生電流密度約為100mA/cm2。
Ji Hoon Park等[Surface and Coating Technology, 2014, 258, 62-71]以石墨烯和TiO2溶液為前驅體,通過電泳沉積的方法在304不銹鋼表面成功制備了石墨烯/TiO2復合薄膜。研究發現,在紫外燈照射下,涂覆有復合薄膜的試樣的開路電位在-400mV--700mV之間。
由于三元材料體系的復雜性,合成過程中石墨烯的反應機制及其光電作用機理有待探討,因此,國內外學者目前大部分選擇石墨烯/TiO2二元材料體系為研究對象,但該體系對基體材料的光生陰極保護效果有待提高。另外,研究者多直接將石墨烯作為前驅體進行復合,但由于石墨烯具有不親水特性,并且范德華力容易使其發生團聚,往往會導致石墨烯在產物中分散不均勻,進而影響到制備材料的光電轉換性能。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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