[發明專利]一種基于IGBT閂鎖效應的觸發器

有效

• 申請號: 201611010264.0
• 申請日: 2016-11-17
• 公開（公告）號: CN106603041B
• 公開（公告）日: 2019-07-19
• 發明（設計）人: 榮麗梅;劉魁;孟志俊;劉博;鄧珣
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H03K3/037
• 分類號: H03K3/037;H03K5/135
• 代理公司: 電子科技大學專利中心 51203
• 代理人: 閆樹平

1.一種基于IGBT閂鎖效應的觸發器，其特征在于：包括第一鎖存器結構和第二鎖存器結構；第一鎖存器結構與第二鎖存器結構相連；

所述的第一鎖存器結構包括第一PMOS管P1，第一IGBT管IGBT1，第二鎖存器結構包括第二PMOS管P2，第二IGBT管IGBT2；且第一IGBT管和第二IGBT管能夠引起閂鎖效應；

第一PMOS管的柵極接時鐘信號，源極接高電平端，漏極作為第一鎖存器結構的輸出端；第一IGBT管的陽極接第一PMOS管的漏極，陰極接低電平端，柵極接輸入D信號；

第二PMOS管的柵極接時鐘信號，源極接高電平端，漏極作為D觸發器的輸出端；第二IGBT管的陽極接第二PMOS管的漏極，陰極接低電平端，柵極接第一鎖存器結構的輸出端。

2.如權利要求1所述基于IGBT閂鎖效應的觸發器，其特征在于：當輸入D信號為高電平時，第一鎖存器結構輸出低電平信號，第二鎖存器結構輸出高電平信號，第一鎖存器結構鎖存住自己的輸出信號，進而鎖存住觸發器輸出信號；當輸入D信號為低電平時，第一鎖存器結構輸出高電平，第二鎖存器結構輸出低電平，第二鎖存器結構鎖存住自己的輸出信號，進而鎖存住觸發器輸出信號。

3.如權利要求1所述基于IGBT閂鎖效應的觸發器，其特征在于：所述閂鎖效應通過P+NPN+四層結構的第一IGBT管和第二IGBT管實現，第一IGBT管和第二IGBT管均含有寄生PNP和NPN雙極型晶體管，且能夠滿足NPN和PNP晶體管的共基極電流放大系數大于1。