[發明專利]芯片的MOS工藝角的測量方法、裝置和系統

有效

• 申請號: 201611006135.4
• 申請日: 2016-11-15
• 公開（公告）號: CN106601643B
• 公開（公告）日: 2019-04-05
• 發明（設計）人: 彭新朝;易冬柏;張亮;徐以軍;馮玉明;李建勛;殷惠萍;謝育樺;周佳
• 申請（專利權）人: 珠海格力電器股份有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 韓建偉;張永明

1.一種芯片的MOS工藝角的測量方法，其特征在于，包括：

檢測待測量芯片的驅動電壓，其中，所述驅動電壓為所述待測量芯片的鎖相環中電壓控制振蕩器的輸入端電壓；

判斷所述驅動電壓是否處于穩定狀態；

在所述驅動電壓處于穩定狀態時比較所述驅動電壓與工藝角判斷閾值的大小，得到比較結果，其中，所述工藝角判斷閾值用于區分所述待測量芯片的工藝角的類型；

根據所述比較結果確定所述待測量芯片的MOS工藝角。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述工藝角判斷閾值包括Vslow，

在所述驅動電壓穩定時比較所述驅動電壓與工藝角判斷閾值的大小，得到比較結果包括：在所述驅動電壓穩定時比較所述驅動電壓與所述Vslow的大小，得到比較結果；

根據所述比較結果確定所述待測量芯片的MOS工藝角包括：在所述比較結果指示所述驅動電壓大于等于所述Vslow時，確定所述待測量芯片的MOS工藝角為SS工藝角。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述工藝角判斷閾值包括Vslow和Vsnfp，

在所述驅動電壓穩定時比較所述驅動電壓與工藝角判斷閾值的大小，得到比較結果包括：在所述驅動電壓穩定時比較所述驅動電壓與所述Vslow和所述Vsnfp的大小，得到比較結果；

根據所述比較結果確定所述待測量芯片的MOS工藝角包括：在所述比較結果指示所述驅動電壓大于等于Vsnfp，且所述驅動電壓小于Vslow時，確定所述待測量芯片的MOS工藝角為SNEP工藝角。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述工藝角判斷閾值包括Vsnfp和Vtt，

在所述驅動電壓穩定時比較所述驅動電壓與工藝角判斷閾值的大小，得到比較結果包括：在所述驅動電壓穩定時比較所述驅動電壓與所述Vsnfp和所述Vtt的大小，得到比較結果；

根據所述比較結果確定所述待測量芯片的MOS工藝角包括：在所述比較結果指示所述驅動電壓大于等于Vtt，且所述驅動電壓小于Vsnfp時，確定所述待測量芯片的MOS工藝角為TT工藝角。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述工藝角判斷閾值包括Vtt和Vfnsp，

在所述驅動電壓穩定時比較所述驅動電壓與工藝角判斷閾值的大小，得到比較結果包括：在所述驅動電壓穩定時比較所述驅動電壓與所述Vtt和所述Vfnsp的大小，得到比較結果；

根據所述比較結果確定所述待測量芯片的MOS工藝角包括：在所述比較結果指示所述驅動電壓大于等于Vfnsp，且所述驅動電壓小于Vtt時，確定所述待測量芯片的MOS工藝角為FNSP工藝角。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述工藝角判斷閾值包括Vfnsp，

在所述驅動電壓穩定時比較所述驅動電壓與工藝角判斷閾值的大小，得到比較結果包括：在所述驅動電壓穩定時比較所述驅動電壓與所述Vfnsp的大小，得到比較結果；

根據所述比較結果確定所述待測量芯片的MOS工藝角包括：在所述比較結果指示所述驅動電壓小于Vfnsp時，確定所述待測量芯片的MOS工藝角為FNSP工藝角。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在檢測待測量芯片的驅動電壓之前，所述方法還包括：

控制所述待測量芯片中鎖相環的輸入頻率保持為預設頻率。

8.根據權利要求1至7任意一項所述的方法，其特征在于，在比較所述驅動電壓與工藝角判斷閾值的大小，并根據比較結果確定所述待測量芯片的MOS工藝角之前，所述方法還包括：

通過仿真獲取在所述待測量芯片的鎖相環的輸入頻率為預設頻率，所述待測量芯片為不同MOS工藝角時的驅動電壓數據；

根據所述驅動電壓數據生成所述工藝角判斷閾值。