[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611004830.7
• 申請日: 2016-11-15
• 公開（公告）號: CN106920774B
• 公開（公告）日: 2021-10-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 成田勝俊
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社電裝
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L23/544
• 代理公司: 北京金信知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11225
• 代理人: 黃威;鄧玉婷

一種半導(dǎo)體裝置的制造方法,其包括：在半導(dǎo)體晶片的表面上形成標(biāo)記，標(biāo)記的至少一部分布置在預(yù)定周邊區(qū)域中，預(yù)定周邊區(qū)域位于待形成半導(dǎo)體元件的相應(yīng)的預(yù)定元件區(qū)域的周圍；利用標(biāo)記在預(yù)定元件區(qū)域內(nèi)形成半導(dǎo)體元件；在形成半導(dǎo)體元件之后，形成跨越所述表面上的包括預(yù)定元件區(qū)域或預(yù)定周邊區(qū)域的范圍而延伸的膜從而用膜覆蓋標(biāo)記的至少一部分；以及在形成膜之后，沿著切割區(qū)域切斷半導(dǎo)體晶片，切割區(qū)域位于預(yù)定周邊區(qū)域的周圍。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置和半導(dǎo)體裝置的制造方法。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體裝置的制造中，在多個半導(dǎo)體裝置一體地形成在單個半導(dǎo)體晶片上之后，沿著切割區(qū)域切斷半導(dǎo)體晶片，以便從單個半導(dǎo)體晶片上將多個半導(dǎo)體裝置分離成各個單片。通常，在切割區(qū)域中應(yīng)用對準(zhǔn)標(biāo)記和其他標(biāo)記。這種類型的標(biāo)記被配置為光學(xué)可讀的，并且被用于在單個半導(dǎo)體晶片上形成半導(dǎo)體元件的工序中。例如，對準(zhǔn)標(biāo)記是用作定位基準(zhǔn)的標(biāo)記，并且基于所讀取的對準(zhǔn)標(biāo)記的位置，將處理裝置(例如，曝光掩模)相對于半導(dǎo)體晶片進(jìn)行定位。在公開號為2004-126414的日本專利申請中，描述了利用對準(zhǔn)標(biāo)記的半導(dǎo)體裝置的制造方法。

發(fā)明內(nèi)容

在切割中，通常使用切割刀片。用切割刀片切斷半導(dǎo)體晶片可能會導(dǎo)致半導(dǎo)體晶片的切面(即，分離成個體片的半導(dǎo)體基板的外周表面)上有碎屑和裂紋。具體地，如果在切割區(qū)域中存在有標(biāo)記，則切割刀片與標(biāo)記接觸，使得標(biāo)記的切片可能會導(dǎo)致切割刀片阻塞。因此，在標(biāo)記附近的半導(dǎo)體基板上被施加了高應(yīng)力，則可能會引起在該位置處的半導(dǎo)體基板出現(xiàn)裂紋。下文中，這種半導(dǎo)體基板的裂紋被稱為由標(biāo)記引起的裂紋。由標(biāo)記引起的裂紋的發(fā)生很可能會導(dǎo)致標(biāo)記在隨后的工序中從半導(dǎo)體基板上掉落，并且掉落的標(biāo)記變成較大的異物，這可能會導(dǎo)致缺陷。

本發(fā)明提供了一種即使在切割中造成了由標(biāo)記引起的裂紋，也會防止標(biāo)記在隨后的工序中從半導(dǎo)體基板脫落的技術(shù)，從而防止由于標(biāo)記的掉落而產(chǎn)生較大的異物。

本發(fā)明的第一方案提供了一種半導(dǎo)體裝置的制造方法。根據(jù)第一方案的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括：在半導(dǎo)體晶片的表面上形成標(biāo)記，所述標(biāo)記包括與所述半導(dǎo)體晶片的材料不同的材料，所述標(biāo)記的至少一部分布置在位于所述表面上的預(yù)定周邊區(qū)域的范圍內(nèi)，所述預(yù)定周邊區(qū)域位于待形成半導(dǎo)體元件的相應(yīng)的預(yù)定元件區(qū)域的周圍；在形成所述標(biāo)記之后，利用所述標(biāo)記在所述預(yù)定元件區(qū)域內(nèi)形成所述半導(dǎo)體元件；在形成所述半導(dǎo)體之后，形成跨越所述表面上的包括所述預(yù)定元件區(qū)域或所述預(yù)定周邊區(qū)域的范圍而延伸的膜從而用所述膜覆蓋所述標(biāo)記的至少一部分；以及在形成所述膜之后，沿著切割區(qū)域切斷所述半導(dǎo)體晶片，所述切割區(qū)域位于所述預(yù)定周邊區(qū)域的周圍。

在上述制造方法中，在切割之前，標(biāo)記覆蓋有保護(hù)膜或電極膜。因此，即使切割中導(dǎo)致由標(biāo)記引起的裂紋，該標(biāo)記也被保護(hù)膜保持，從而防止標(biāo)記從半導(dǎo)體基板上脫落。與構(gòu)造半導(dǎo)體基板的半導(dǎo)體材料相比，更難以對樹脂材料或金屬材料造成裂紋。因此，即使對半導(dǎo)體基板造成了由標(biāo)記引起的裂紋，也難以認(rèn)為該裂紋會行進(jìn)到保護(hù)膜或金屬膜，并且與保護(hù)膜或電極膜一起脫落。由此，即使切割中導(dǎo)致了由標(biāo)記引起的裂紋，也能夠防止每個標(biāo)記在隨后的工序中從半導(dǎo)體基板脫落而成為較大的異物。

在第一方案中，切斷半導(dǎo)體晶片可以包括規(guī)定基于標(biāo)記而布置半導(dǎo)體元件的位置。

在第一方案中，形成膜可以包括跨越從預(yù)定元件區(qū)域延伸到預(yù)定周邊區(qū)域的范圍而形成膜。

在第一方案中，膜可以包括由樹脂材料形成的保護(hù)膜和由金屬材料形成的電極膜中的至少一種。

在第一方案中，在形成膜時(shí)，可以至少形成保護(hù)膜。

在以上方案中，形成所述膜可以包括：跨越所述半導(dǎo)體晶片的表面上的從所述預(yù)定元件區(qū)域、所述預(yù)定周邊區(qū)域延伸經(jīng)過所述切割區(qū)域的范圍而形成所述樹脂材料的膜，所述樹脂材料的膜構(gòu)成所述保護(hù)膜；以及在形成所述樹脂材料的膜之后，移除所述樹脂材料的膜的位于所述切割區(qū)域的部分。

在第一方案中，樹脂材料可以是聚酰亞胺。